処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2010113405 - 窒化物系半導体素子およびその製造方法

公開番号 WO/2010/113405
公開日 07.10.2010
国際出願番号 PCT/JP2010/001920
国際出願日 17.03.2010
IPC
H01L 21/28 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H01L 33/32 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
26発光領域の材料
30III族およびV族元素のみを有するもの
32窒素を含むもの
H01L 33/40 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
36電極に特徴があるもの
40材料
CPC
H01L 33/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
26Materials of the light emitting region
30containing only elements of group III and group V of the periodic system
32containing nitrogen
H01L 33/40
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
40Materials therefor
H01S 5/04252
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, ; e.g. by electron beams
042Electrical excitation ; ; Circuits therefor
0425Electrodes, e.g. characterised by the structure
04252characterised by the material
H01S 5/04257
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, ; e.g. by electron beams
042Electrical excitation ; ; Circuits therefor
0425Electrodes, e.g. characterised by the structure
04256characterised by the configuration
04257having positive and negative electrodes on the same side of the substrate
H01S 5/320225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
32comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
3202grown on specifically orientated substrates, or using orientation dependent growth
320225polar orientation
H01S 5/32341
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
32comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
323in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, ; InP-based laser
32308emitting light at a wavelength less than 900 nm
32341blue laser based on GaN or GaP
出願人
  • パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 大屋満明 OYA, Mitsuaki (UsOnly)
  • 横川俊哉 YOKOGAWA, Toshiya (UsOnly)
  • 山田篤志 YAMADA, Atsushi (UsOnly)
  • 磯崎瑛宏 ISOZAKI, Akihiro (UsOnly)
発明者
  • 大屋満明 OYA, Mitsuaki
  • 横川俊哉 YOKOGAWA, Toshiya
  • 山田篤志 YAMADA, Atsushi
  • 磯崎瑛宏 ISOZAKI, Akihiro
代理人
  • 奥田誠司 OKUDA, Seiji
優先権情報
2009-09150603.04.2009JP
PCT/JP2009/00726525.12.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR ELEMENT AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEURS DE NITRURE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 窒化物系半導体素子およびその製造方法
要約
(EN)
A nitride-based semiconductor element (100) is provided with a GaN substrate (10), which has an m-plane (12) surface; a semiconductor layered structure (20) formed on the m-plane (12) of the GaN substrate (10), and an electrode (30) formed on the semiconductor layered structure (20). The electrode (30) includes a Mg layer (32) and a Ag layer (34) formed on the Mg layer (32). The Mg layer (32) connects to the p-type semiconductor region of the semiconductor layered structure (20).
(FR)
L'invention concerne un élément émetteur de lumière à semi-conducteurs de nitrure (100) comprenant : un substrat GaN (10) présentant une surface à plan m (12); une structure en couches à semi-conducteurs (20) formée sur le plan m du substrat GaN (10); et une électrode (30) formée sur la structure en couches à semi-conducteurs (20). L'électrode (30) comprend une couche Mg (32) sur laquelle est formée une couche Ag (34). La couche Mg (32) se raccorde à la région à semi-conducteurs de type p dans la structure en couches à semi-conducteurs (20).
(JA)
 窒化物系半導体発光素子100は、m面12を表面とするGaN基板10と、GaN基板10のm面12の上に形成された半導体積層構造20と、半導体積層構造20の上に形成された電極30とを備えている。電極30は、Mg層32と、Mg層32の上に形成されたAg層34とを含み、Mg層32は、半導体積層構造20におけるp型半導体領域の表面に接触している。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報