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1. WO2010074252 - 半導体素子及び固体撮像装置

公開番号 WO/2010/074252
公開日 01.07.2010
国際出願番号 PCT/JP2009/071647
国際出願日 25.12.2009
予備審査請求日 21.07.2010
IPC
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
H04N 5/374 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
CPC
H01L 27/14603
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14603Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
H01L 27/14612
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14609Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
14612involving a transistor
H01L 27/14689
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
14689MOS based technologies
H04N 5/374
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
374Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
出願人
  • 国立大学法人静岡大学 National University Corporation Shizuoka University [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 川人 祥二 KAWAHITO, Shoji [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 川人 祥二 KAWAHITO, Shoji
代理人
  • 三好 秀和 MIYOSHI, Hidekazu
優先権情報
2008-33057225.12.2008JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF D'IMAGERIE À L'ÉTAT SOLIDE
(JA) 半導体素子及び固体撮像装置
要約
(EN)
A semiconductor device including: a p-type semiconductor region (21); an n-type light reception surface embedded region (23) embedded in the semiconductor region (21); an n-type charge accumulation region (24) arranged continuous to the light reception surface embedded region (23) and having a potential well deeper than the light reception surface embedded region (23); a charge read-out region which reads out electric charge accumulated in the charge storage region (24); a discharge drain region (25) for discharging electric charge from the light reception surface embedded region (23); first potential control means (31, 30) which discharge electric charge from the light reception surface embedded region (23) to the discharge drain region (25); and second potential control means (32, 30) which transfer electric charge from the charge accumulation region (24) to the charge read-out region.
(FR)
Le dispositif semi-conducteur selon l'invention comprend : une zone semi-conductrice de type p (21); une zone incorporée de surface de réception de lumière de type n (23) incorporée dans la zone semi-conductrice (21); une zone d'accumulation de charge de type n (24) disposée en continu de la zone incorporée de surface de réception de lumière (23) et dont le puits de potentiel est plus profond que celui de la zone incorporée de surface de réception de lumière (23); une zone de lecture de charge qui lit la charge électrique accumulée dans la zone d'accumulation de charge (24); une zone de drain de décharge (25) servant à décharger la charge électrique depuis la zone incorporée de surface de réception de lumière (23); des premiers moyens de contrôle de potentiel (31, 30) qui déchargent la charge électrique depuis la zone incorporée de surface de réception de lumière (23) vers la zone de drain de décharge (25); et des seconds moyens de contrôle de potentiel (32, 30) qui transfèrent la charge électrique de la zone d'accumulation de charge (24) vers la zone de lecture de charge.
(JA)
 p型の半導体領域(21)と、半導体領域(21)に埋め込まれたn型の受光用表面埋込領域(23)と、受光用表面埋込領域(23)に連続し、受光用表面埋込領域(23)よりもポテンシャル井戸が深いn型の電荷蓄積領域(24)と、電荷蓄積領域(24)が蓄積した電荷を読み出す電荷読み出し領域と、受光用表面埋込領域(23)から電荷を排出する排出ドレイン領域(25)と、受光用表面埋込領域(23)から排出ドレイン領域(25)へ電荷を排出する第1の電位制御手段(31,30)と、電荷蓄積領域(24)から電荷読み出し領域へ電荷を転送する第2の電位制御手段(32,30)とを備える。
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