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1. WO2010074251 - 磁気記録媒体の製造方法、および磁気記録媒体の製造装置

公開番号 WO/2010/074251
公開日 01.07.2010
国際出願番号 PCT/JP2009/071646
国際出願日 25.12.2009
予備審査請求日 26.10.2010
IPC
G11B 5/851 2006.01
G物理学
11情報記憶
B記録担体と変換器との間の相対運動に基づいた情報記録
5記録担体の磁化または減磁による記録;磁気的手段による再生;そのための記録担体
84記録担体の製造に特に適合する方法または装置
851スパッタリングにより磁性層を支持体に形成するもの
C23C 14/34 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
CPC
C23C 14/352
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
35by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
352using more than one target
G11B 5/851
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
5Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
84Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
851Coating a support with a magnetic layer by sputtering
H01J 37/3405
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
34operating with cathodic sputtering
3402using supplementary magnetic fields
3405Magnetron sputtering
H01J 37/3414
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
34operating with cathodic sputtering
3411Constructional aspects of the reactor
3414Targets
H01J 37/3444
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
34operating with cathodic sputtering
3411Constructional aspects of the reactor
3444Associated circuits
出願人
  • キヤノンアネルバ株式会社 CANON ANELVA CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 鳥井 宏 TORII Hiroshi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 徐 舸 XU Ge [CN]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 鳥井 宏 TORII Hiroshi
  • 徐 舸 XU Ge
代理人
  • 岡部 正夫 OKABE Masao
優先権情報
2008-33409026.12.2008JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD OF MANUFACTURING MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND APPARATUS FOR MANUFACTURING MAGNETIC RECORDING MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE FABRICATION DE SUPPORT D'ENREGISTREMENT MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気記録媒体の製造方法、および磁気記録媒体の製造装置
要約
(EN)
A method of manufacturing a magnetic recording medium enabling formation of an embedded layer with higher production efficiency; and an apparatus for manufacturing such a magnetic recording medium. In this method, a relief pattern of a recording magnetic layer provided on a substrate is formed with an embedded layer by means of high-frequency sputtering. When doing so, cations in the plasma are attracted to the substrate by an attracting electric field. While doing so, the embedded layer is formed under the condition that the film forming speed ratio compared to when the attracting electric field is not formed be not more than 90%.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un support d'enregistrement magnétique permettant de former une couche incorporée avec une efficacité de production plus grande; et un appareil permettant de fabriquer un tel support d'enregistrement magnétique. Dans ce procédé, un motif en relief d'une couche magnétique d'enregistrement agencé sur un substrat est formé avec une couche incorporée au moyen d'une pulvérisation à haute fréquence. Ce faisant, les cations dans le plasma sont attirés vers le substrat par un champ électrique attractif. En faisant cela, la couche incorporée est formée à condition que le rapport de vitesse de formation du film en comparaison au champ électrique attractif qui n'est pas formé, ne soit pas supérieur à 90 %.
(JA)
本発明は、より生産効率の高い埋め込み層の形成が可能な磁気記録媒体の製造方法、および磁気記録媒体の製造装置を提供する。本発明の一実施形態では、基板上に設けられた記録磁性層が有する凹凸パターンに対して、高周波スパッタリング法により埋め込み層を成膜する際に、引き込み電界によりプラズマ中の正イオンを基板に引き込みながら、引き込み電界を形成しない時と比較した成膜速度比が90%以下となる条件で埋め込み層を成膜する。
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