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1. WO2010074250 - スパッタ装置及び磁気記憶媒体の製造方法

公開番号 WO/2010/074250
公開日 01.07.2010
国際出願番号 PCT/JP2009/071645
国際出願日 25.12.2009
予備審査請求日 26.10.2010
IPC
G11B 5/851 2006.01
G物理学
11情報記憶
B記録担体と変換器との間の相対運動に基づいた情報記録
5記録担体の磁化または減磁による記録;磁気的手段による再生;そのための記録担体
84記録担体の製造に特に適合する方法または装置
851スパッタリングにより磁性層を支持体に形成するもの
C23C 14/34 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
CPC
C23C 14/352
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
35by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
352using more than one target
G11B 5/851
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
5Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
84Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
851Coating a support with a magnetic layer by sputtering
H01J 37/3405
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
34operating with cathodic sputtering
3402using supplementary magnetic fields
3405Magnetron sputtering
H01J 37/3414
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
34operating with cathodic sputtering
3411Constructional aspects of the reactor
3414Targets
H01J 37/3444
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
34operating with cathodic sputtering
3411Constructional aspects of the reactor
3444Associated circuits
出願人
  • キヤノンアネルバ株式会社 CANON ANELVA CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 鳥井 宏 TORII Hiroshi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 徐 舸 XU Ge [CN]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 鳥井 宏 TORII Hiroshi
  • 徐 舸 XU Ge
代理人
  • 岡部 正夫 OKABE Masao
優先権情報
2008-33409526.12.2008JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SPUTTERING APPARATUS AND METHOD OF PRODUCING MAGNETIC STORAGE MEDIUM
(FR) APPAREIL DE PULVÉRISATION ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUPPORT DE STOCKAGE MAGNÉTIQUE
(JA) スパッタ装置及び磁気記憶媒体の製造方法
要約
(EN)
A sputtering apparatus enabling formation of an embedded layer with higher production efficiency when producing a magnetic recording medium; and a method of producing such a magnetic storage medium. In this apparatus, cathodes are arranged facing each other across a substrate (201), and the high frequency power applied to each cathode is made the same phase. At this time, the distance between each cathode and the substrate (201) is preferably made short. Further, it is also preferable to form the embedded layer while attracting cations in the plasma to the substrate (201) by an attracting electric field.
(FR)
L'invention concerne un appareil de pulvérisation permettant de former une couche incorporée avec une efficacité de production plus grande lors de la production d'un support d'enregistrement magnétique; et un appareil permettant de produire un tel support de stockage magnétique. Dans cet appareil, les cathodes sont disposées l'une face à l'autre sur un substrat (201), et la puissance haute fréquence appliquée à chaque cathode a la même phase. A ce moment, la distance entre chaque cathode et le substrat (201) est de préférence réduite. De plus, il est également préférable de former la couche incorporée en attirant les cations contenus dans le plasma vers le substrat (201) par un champ électrique attractif.
(JA)
本発明は、磁気記録媒体の製造において、より生産効率の高い埋め込み層の形成が可能なスパッタ装置及び磁気記憶媒体の製造方法を提供する。本発明の一実施形態では、基板(201)を挟んで対向するカソードを配置し、各カソードへ印加する高周波電力を同位相とする。このとき、各カソードと基板(201)との間の距離を小さくすることが好ましい。更に、引き込み電界によりプラズマ中の正イオンを基板(201)に引き込みながら埋め込み層の成膜を行うも好ましい。
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