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1. WO2010074130 - 磁気メモリ素子及び磁気ランダムアクセスメモリ

公開番号 WO/2010/074130
公開日 01.07.2010
国際出願番号 PCT/JP2009/071408
国際出願日 24.12.2009
IPC
H01L 21/8246 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
8239メモリ構造
8246リードオンリーメモリ構造(ROM)
G11C 11/15 2006.01
G物理学
11情報記憶
C静的記憶
11特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置;そのための記憶素子
02磁気的素子を用いるもの
14薄膜素子を用いるもの
15多層の磁性層を用いるもの
H01L 27/105 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
10複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105電界効果構成部品を含むもの
H01L 29/82 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
82装置に印加される磁界の変化によって制御可能なもの
H01L 43/08 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08磁界制御抵抗
CPC
G11C 11/161
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
161details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
G11C 11/1655
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1653Address circuits or decoders
1655Bit-line or column circuits
G11C 11/1659
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1659Cell access
G11C 11/1673
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1673Reading or sensing circuits or methods
G11C 11/1675
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1675Writing or programming circuits or methods
H01L 27/228
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
22including components using galvano-magnetic effects, e.g. Hall effects; using similar magnetic field effects
222Magnetic non-volatile memory structures, e.g. MRAM
226comprising multi-terminal components, e.g. transistors
228of the field-effect transistor type
出願人
  • 日本電気株式会社 NEC CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 永原 聖万 NAGAHARA Kiyokazu [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 深見 俊輔 FUKAMI Shunsuke [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 石綿 延行 ISHIWATA Nobuyuki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 鈴木 哲広 SUZUKI Tetsuhiro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 大嶋 則和 OHSHIMA Norikazu [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 永原 聖万 NAGAHARA Kiyokazu
  • 深見 俊輔 FUKAMI Shunsuke
  • 石綿 延行 ISHIWATA Nobuyuki
  • 鈴木 哲広 SUZUKI Tetsuhiro
  • 大嶋 則和 OHSHIMA Norikazu
代理人
  • 工藤 実 KUDOH Minoru
優先権情報
2008-33050725.12.2008JP
2009-22964401.10.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
(FR) ELÉMENT DE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE ET MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気メモリ素子及び磁気ランダムアクセスメモリ
要約
(EN)
A magnetic memory cell includes a magnetic recording layer and a magnetic tunnel junction unit.  The magnetic recording layer is a ferromagnetic layer having a vertical magnetic anisotropy.  The magnetic tunnel junction unit is used for reading out information from the magnetic recording layer.  The magnetic recording layer has two magnetic wall moving domains.
(FR)
La présente invention a pour objet une cellule de mémoire magnétique comprenant une couche d'enregistrement magnétique et une unité jonction à effet tunnel magnétique. La couche d'enregistrement magnétique est une couche ferromagnétique présentant une anisotropie magnétique verticale. L'unité jonction à effet tunnel magnétique est utilisée pour lire des informations à partir de la couche d'enregistrement magnétique. La couche d'enregistrement magnétique possède deux domaines de déplacement de parois magnétiques.
(JA)
 磁気メモリセルは、磁化記録層と、磁気トンネル接合部とを具備する。磁化記録層は、垂直磁気異方性を有する強磁性層である。磁気トンネル接合部は、磁化記録層の情報を読み出すためのものである。そして、磁化記録層は、二つの磁壁移動領域を有する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報