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1. WO2010073883 - 半導体発光素子

公開番号 WO/2010/073883
公開日 01.07.2010
国際出願番号 PCT/JP2009/070238
国際出願日 02.12.2009
IPC
H01L 33/42 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
36電極に特徴があるもの
40材料
42透明材料
CPC
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
H01L 33/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
04with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
06within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
H01L 33/42
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
40Materials therefor
42Transparent materials
H01L 33/62
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
出願人
  • 株式会社 東芝 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 村本 衛司 MURAMOTO Eiji [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 布上 真也 NUNOUE Shinya [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 村本 衛司 MURAMOTO Eiji
  • 布上 真也 NUNOUE Shinya
代理人
  • 吉武 賢次 YOSHITAKE Kenji
優先権情報
2008-32961925.12.2008JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ELÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光素子
要約
(EN)
A semiconductor light-emitting element which comprises a p-electrode having ohmic properties and transparency improved as much as possible.  The semiconductor light-emitting element comprises: a substrate; an n-type semiconductor layer formed on the substrate; an active layer which is formed on a first region of the n-type semiconductor layer and emits light; a p-type semiconductor layer formed on the active layer; a p-electrode which is formed on the p-type semiconductor layer and has a first conductive oxide layer having an oxygen content of less than 40 atom%; and an n-electrode formed on a second region of the n-type semiconductor layer.
(FR)
La présente invention concerne un élément électroluminescent semi-conducteur qui comprend une électrode p présentant des propriétés ohmiques et une transparence améliorée autant que possible. L'élément électroluminescent semi-conducteur comprend : un substrat ; une couche semi-conductrice du type n formée sur le substrat ; une couche active qui est formée sur une première région de la couche semi-conductrice du type n et qui émet de la lumière ; une couche semi-conductrice du type p formée sur la couche active ; une électrode p qui est formée sur la couche semi-conductrice du type p et comporte une première couche d'oxyde conducteur possédant une teneur en oxygène inférieure à 40 % at. ; et une électrode n formée sur une seconde région de la couche semi-conductrice du type n.
(JA)
 オーミック性および透過性が可及的に良いp電極を備えた半導体発光素子を提供することを可能にする。基板と、基板上に設けられたn型半導体層と、n型半導体層の第1の領域上に設けられ発光する活性層と、活性層上に設けられたp型半導体層と、p型半導体層上に設けられ酸素含有率が40原子%未満の第1の導電性酸化物層を有するp電極と、n型半導体層の第2の領域上に設けられるn電極と、を備えている。
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