処理中

しばらくお待ちください...

PATENTSCOPE は、メンテナンスのため次の日時に数時間サービスを休止します。サービス休止: 土曜日 31.10.2020 (7:00 午前 CET)
設定

設定

出願の表示

1. WO2010073725 - 多結晶シリコンの洗浄方法及び洗浄装置並びに多結晶シリコンの製造方法

公開番号 WO/2010/073725
公開日 01.07.2010
国際出願番号 PCT/JP2009/007311
国際出願日 25.12.2009
IPC
C30B 29/06 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
02元素
06シリコン
B08B 3/08 2006.01
B処理操作;運輸
08清掃
B清掃一般;汚れ防止一般
3液体または蒸気の使用または存在を含む方法による清掃
04液体との接触を含む清掃
08化学的または分解的効果のある液体によるもの(使用物質関連のクラス参照)
CPC
C01B 33/035
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
33Silicon; Compounds thereof
02Silicon
021Preparation
027by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
035by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
C01B 33/037
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
33Silicon; Compounds thereof
02Silicon
037Purification
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
出願人
  • 三菱マテリアル株式会社 MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 堺一弘 SAKAI, Kazuhiro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 渥美徹弥 ATSUMI, Tetsuya [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 宮田幸和 MIYATA, Yukiyasu [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 堺一弘 SAKAI, Kazuhiro
  • 渥美徹弥 ATSUMI, Tetsuya
  • 宮田幸和 MIYATA, Yukiyasu
代理人
  • 志賀正武 SHIGA, Masatake
優先権情報
2008-33232026.12.2008JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR WASHING POLYCRYSTALLINE SILICON, WASHING DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON
(FR) PROCEDE DE LAVAGE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN, DISPOSITIF DE LAVAGE ET PROCEDE DE PRODUCTION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
(JA) 多結晶シリコンの洗浄方法及び洗浄装置並びに多結晶シリコンの製造方法
要約
(EN)
Provided is a method for washing polycrystalline silicon comprising an acid rinsing step in which an acidic solution is used and a water rinsing step in which purified water is used after the acid rinsing. In the water rinsing step, the polycrystalline silicon is immersed in a water rinsing tank holding purified water and the purified water inside the water rinsing tank is replaced at least once in order to remove the acidic solution residue from the surface of the polycrystalline silicon. The electrical conductivity (C) of the purified water in the water rinsing tank is measured and the water rinsing step is judged to be completed on the basis of the measured electric conductivity (C).
(FR)
L'invention concerne un procédé de lavage de silicium polycristallin, comprenant une étape de rinçage à l'acide consistant à utiliser une solution acide et une étape de rinçage à l'eau consistant à utiliser de l'eau purifiée après le rinçage à l'acide. Pendant l'étape de rinçage à l'eau, le silicium polycristallin est immergé dans une cuve de rinçage contenant de l'eau purifié et l'eau purifiée à l'intérieur de la cuve est remplacée au moins une fois pour éliminer le résidu de solution acide de la surface du silicium polycristallin. La conductivité électrique (C) de l'eau purifiée dans la cuve de rinçage à l'eau est mesurée et la fin de l'étape de rinçage à l'eau est déterminée en fonction de la conductivité électrique mesurée (C).
(JA)
 酸液による酸洗工程と、この酸洗工程の後に純水で洗浄する水洗工程とを有する多結晶シリコンの洗浄方法であって、該水洗工程では、純水を貯留した水洗槽に前記多結晶シリコンを浸漬し、少なくとも1回以上前記水洗槽内の純水を入れ替えて、前記多結晶シリコンの表面に残留した前記酸液の除去を行うとともに、前記水洗槽中の純水の電気伝導度(C)を測定し、前記電気伝導度(C)の測定値によって前記水洗工程の終了を判断する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報