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1. WO2010073520 - 固体撮像デバイスおよびその製造方法

公開番号 WO/2010/073520
公開日 01.07.2010
国際出願番号 PCT/JP2009/006773
国際出願日 10.12.2009
IPC
H01L 27/14 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
H01L 25/065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
065装置がグループH01L27/00に分類された型からなるもの
H01L 25/07 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
07装置がグループH01L29/00に分類された型からなるもの
H01L 25/18 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
H01L 27/148 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
148電荷結合型固体撮像装置
H04N 5/378 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
378読出し回路,例.相関二重サンプリング回路,出力増幅器,A/D変換器
CPC
H01L 2224/0615
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
06of a plurality of bonding areas
061Disposition
0612Layout
0615Mirror array, i.e. array having only a reflection symmetry, i.e. bilateral symmetry
H01L 2224/73204
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
732Location after the connecting process
73201on the same surface
73203Bump and layer connectors
73204the bump connector being embedded into the layer connector
H01L 24/17
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
24Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
10Bump connectors
15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
17of a plurality of bump connectors
H01L 27/14634
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14634Assemblies, i.e. Hybrid structures
H01L 27/14683
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
H01L 27/148
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
148Charge coupled imagers
出願人
  • パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 板倉啓二郎 ITAKURA, Keijirou (UsOnly)
  • 桝山雅之 MASUYAMA, Masayuki (UsOnly)
発明者
  • 板倉啓二郎 ITAKURA, Keijirou
  • 桝山雅之 MASUYAMA, Masayuki
代理人
  • 前田弘 MAEDA, Hiroshi
優先権情報
2008-33261526.12.2008JP
2009-21734818.09.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF DE FORMATION D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 固体撮像デバイスおよびその製造方法
要約
(EN)
An imaging region (1a), in which unit pixels which include a photoelectric conversion element are arranged in a matrix shape, exists on the primary face of a solid-state imaging element (1). Peripheral circuit elements (3, 4) control the imaging operation of the solid-state imaging element (1) and process the video output signal of the solid-state imaging element (1). The imaging region (1a) is covered by a transparent material (2). The peripheral circuit elements (3, 4) are mounted on the primary face of the solid-state imaging element (1) in a region other than that of the imaging region (1a), and such that the primary faces of the peripheral circuit elements oppose the primary face of the solid-state imaging element (1).
(FR)
Une région de formation d'image (1a) dans laquelle sont agencés des pixels élémentaires qui comprennent chacun un élément de conversion photoélectrique selon la forme d'une matrice, est présente sur la face primaire d'un élément de formation d'image à semi-conducteur (1). Des éléments de circuits périphériques (3, 4) commandent l'opération de formation d'image de l'élément de formation d'image à semi-conducteur (1) et traitent le signal de sortie vidéo de l'élément de formation d'image à semi-conducteur (1). La région de formation d'image (1a) est recouverte d'un matériau transparent (2). Les éléments de circuit périphérique (3, 4) sont montés sur la face principale de l'élément de formation d'image à semi-conducteur (1) dans une région autre que la région de formation d'image (1a), et de telle façon que les faces principales des éléments de circuit périphériques soient opposées à la face primaire de l'élément de formation d'image à semi-conducteur (1).
(JA)
 固体撮像素子(1)は、光電変換素子を含む単位画素が行列状に形成された撮像領域(1a)を主面上に有している。周辺回路素子(3,4)は固体撮像素子(1)の撮像動作の制御、または、固体撮像素子(1)の映像出力の信号処理を行う。撮像領域(1a)は、透明材料(2)によって覆われている。周辺回路素子(3,4)は、固体撮像素子(1)の主面上における撮像領域(1a)以外の領域に、その主面が固体撮像素子(1)の主面と対向するように実装されている。
他の公開
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