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1. WO2010070802 - 光マトリックスデバイスの製造方法

公開番号 WO/2010/070802
公開日 24.06.2010
国際出願番号 PCT/JP2009/005746
国際出願日 29.10.2009
IPC
H01L 27/14 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
CPC
H01L 27/1266
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1259Multistep manufacturing methods
1262with a particular formation, treatment or coating of the substrate
1266the substrate on which the devices are formed not being the final device substrate, e.g. using a temporary substrate
H01L 27/1285
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1259Multistep manufacturing methods
127with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
1274using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor
1285using control of the annealing or irradiation parameters, e.g. using different scanning direction or intensity for different transistors
H01L 27/1292
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1259Multistep manufacturing methods
1292using liquid deposition, e.g. printing
H01L 27/14658
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14643Photodiode arrays; MOS imagers
14658X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
H01L 27/14683
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
H01L 29/78681
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
78681having a semiconductor body comprising AIIIBV or AIIBVI or AIVBVI semiconductor materials, or Se or Te
出願人
  • 株式会社島津製作所 SHIMADZU CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 足立晋 ADACHI, Susumu [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 足立晋 ADACHI, Susumu
代理人
  • 杉谷勉 SUGITANI, Tsutomu
優先権情報
PCT/JP2008/07311318.12.2008JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING OPTICAL MATRIX DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE MATRICE OPTIQUE
(JA) 光マトリックスデバイスの製造方法
要約
(EN)
Provided is a method for manufacturing an optical matrix device, wherein an interface between a semiconductor film and a gate insulating film is not contaminated by forming, in vacuum, the semiconductor film and the gate insulating film by which the characteristics of a thin film transistor are most affected (S12, S13). Though the semiconductor film and the gate insulating film are formed in vacuum, wiring may not be formed in vacuum (S03). Since the semiconductor film and the gate insulating film, which are formed in vacuum, are transferred on the previously formed wiring (S21), the wiring, the semiconductor film and the gate insulating film of the thin film transistor can be efficiently formed even a substrate has a large area.
(FR)
La présente invention a trait à un procédé de fabrication d'un dispositif de matrice optique, ledit procédé étant pourvu d'une interface entre une couche semi-conductrice et une couche isolante de grille qui n'est pas contaminée par la formation, sous vide, de la couche semi-conductrice et de la couche isolante de grille à cause de laquelle formation les caractéristiques d'un transistor à couches minces sont le plus affectées (S12, S13). Bien que la couche semi-conductrice et la couche isolante de grille soient formées sous vide, le câblage peut ne pas être formé sous vide (S03). Dans la mesure où la couche semi-conductrice et la couche isolante de grille, qui sont formées sous vide, sont transférées sur le câblage précédemment formé (S21), le câblage, la couche semi-conductrice et la couche isolante de grille du transistor à couches minces peuvent être formés de façon efficace, y compris lorsque le substrat présente une superficie importante.
(JA)
 本発明の光マトリックスデバイスの製造方法によれば、薄膜トランジスタの特性が一番影響される半導体膜とゲート絶縁膜を真空中にて形成する(S12、S13)ことで、半導体膜とゲート絶縁膜との界面が汚れない。また、半導体膜とゲート絶縁膜とは真空中にて形成するが、配線に関しては真空中で形成しなくてもよい(S03)。このように、予め形成された配線上に、真空中で形成された半導体膜とゲート絶縁膜とを転写する(S21)ので、基板が大面積であっても薄膜トランジスタの配線、半導体膜およびゲート絶縁膜を効率よく形成することができる。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報