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1. WO2010067844 - CMP用研磨液及びこれを用いた研磨方法

公開番号 WO/2010/067844
公開日 17.06.2010
国際出願番号 PCT/JP2009/070692
国際出願日 10.12.2009
IPC
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B24B 37/00 2006.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37ラッピング機械または装置;附属装置
C09K 3/14 2006.01
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
3物質であって,他に分類されないもの
14抗スリップ物質;研摩物質
CPC
C09G 1/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
GPOLISHING COMPOSITIONS OTHER THAN FRENCH POLISH; SKI WAXES
1Polishing compositions
02containing abrasives or grinding agents
C09K 3/1463
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
1454Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
1463Aqueous liquid suspensions
H01L 21/31053
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
31051Planarisation of the insulating layers
31053involving a dielectric removal step
出願人
  • 日立化成工業株式会社 HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 佐藤 英一 SATOU Eiichi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 太田 宗宏 OOTA Munehiro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 茅根 環司 CHINONE Kanshi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 野部 茂 NOBE Shigeru [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 榎本 和宏 ENOMOTO Kazuhiro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 木村 忠広 KIMURA Tadahiro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 深沢 正人 FUKASAWA Masato [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 羽廣 昌信 HABIRO Masanobu [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 星 陽介 HOSHI Yousuke [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 佐藤 英一 SATOU Eiichi
  • 太田 宗宏 OOTA Munehiro
  • 茅根 環司 CHINONE Kanshi
  • 野部 茂 NOBE Shigeru
  • 榎本 和宏 ENOMOTO Kazuhiro
  • 木村 忠広 KIMURA Tadahiro
  • 深沢 正人 FUKASAWA Masato
  • 羽廣 昌信 HABIRO Masanobu
  • 星 陽介 HOSHI Yousuke
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
優先権情報
2008-31553111.12.2008JP
2009-07652026.03.2009JP
2009-09243406.04.2009JP
2009-22478029.09.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) POLISHING SOLUTION FOR CMP AND POLISHING METHOD USING THE POLISHING SOLUTION
(FR) SOLUTION DE POLISSAGE MÉCANOCHIMIQUE ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE ASSOCIÉ
(JA) CMP用研磨液及びこれを用いた研磨方法
要約
(EN)
A polishing solution for CMP contains abrasive grains, an additive and water, and an organic compound satisfying predetermined conditions is mixed as the additive. The polishing method is provided for substrates having a silicon oxide film on the surface, and is provided with a step of polishing the silicon oxide film using a polishing pad, while supplying the polishing solution for CMP to between the silicon oxide film and the polishing pad.
(FR)
La présente invention concerne une solution de polissage mécanochimique qui contient des grains abrasifs, un additif, de l'eau et un composé organique satisfaisant à des conditions prédéterminées. Le procédé de polissage est destiné à des substrats dont la surface est recouverte d'un film d'oxyde de silicium, et consiste à polir le film d'oxyde de silicium avec un tampon de polissage tout en introduisant la solution de polissage mécanochimique entre le film d'oxyde de silicium et le tampon de polissage.
(JA)
 本発明に係るCMP用研磨液は、砥粒と、添加剤と、水とを含有するものであり、添加剤として所定の条件を満たす有機化合物が配合されている。本発明に係る研磨方法は、表面に酸化ケイ素膜を有する基板を対象としたものであり、上記CMP研磨液を酸化ケイ素膜と研磨パッドとの間に供給しながら、研磨パッドによって酸化ケイ素膜の研磨を行う工程を備える。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報