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1. WO2010064476 - 磁気メモリー素子及び不揮発性記憶装置

公開番号 WO/2010/064476
公開日 10.06.2010
国際出願番号 PCT/JP2009/064771
国際出願日 25.08.2009
IPC
H01L 21/8246 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
8239メモリ構造
8246リードオンリーメモリ構造(ROM)
G11C 11/15 2006.01
G物理学
11情報記憶
C静的記憶
11特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置;そのための記憶素子
02磁気的素子を用いるもの
14薄膜素子を用いるもの
15多層の磁性層を用いるもの
H01L 27/105 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
10複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105電界効果構成部品を含むもの
H01L 43/08 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08磁界制御抵抗
CPC
G11C 11/16
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
G11C 11/161
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
161details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
G11C 11/1659
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1659Cell access
G11C 11/1675
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1675Writing or programming circuits or methods
H01L 27/224
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
22including components using galvano-magnetic effects, e.g. Hall effects; using similar magnetic field effects
222Magnetic non-volatile memory structures, e.g. MRAM
224comprising two-terminal components, e.g. diodes, MIM elements
H01L 43/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
08Magnetic-field-controlled resistors
出願人
  • 富士電機ホールディングス株式会社 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 荻本 泰史 OGIMOTO, Yasushi [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 荻本 泰史 OGIMOTO, Yasushi
代理人
  • 奥山 尚一 OKUYAMA, Shoichi
優先権情報
2008-30726702.12.2008JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND NONVOLATILE STORAGE DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE ET DISPOSITIF D’ENREGISTREMENT NON VOLATIL
(JA) 磁気メモリー素子及び不揮発性記憶装置
要約
(EN)
Provided is a magnetic memory element (8) having a spin valve structure formed by a free layer (5), a non-magnetic layer (4), and a pin layer (3).  The free layer (5) has three-layer structure having a first magnetic layer (51), an intermediate layer (52), and a second magnetic layer (53) arranged in this order viewed from the non-magnetic layer (4).  The first magnetic layer (51) is made from a ferromagnetic material.  The intermediate layer (52) is made from a non-magnetic material.  The second magnetic layer (53) is made from an N-type ferrimagnetic material having a magnetic compensation point in the storage holding temperature region.  The magnetization direction of the first magnetic layer and that of the second magnetic layer are parallel to each other at the temperature lower than the magnetic compensation point Tcomp.
(FR)
L’invention concerne un élément de mémoire magnétique (8) comportant une structure à vanne spin formée par une couche libre (5), une couche non magnétique (4) et une couche de broches (3).  La couche libre (5) comporte une structure en trois couches comportant une première couche magnétique (51), une couche intermédiaire (52) et une deuxième couche magnétique (53) disposées dans cet ordre vues de la couche non magnétique (4).  La première couche magnétique (51) est constituée à partir d’un matériau ferromagnétique.  La couche intermédiaire (52) est constituée à partir d’un matériau non magnétique.  La deuxième couche magnétique (53) est constituée d’un matériau ferromagnétique de type N présentant un point de compensation magnétique dans la zone de température de maintien en conservation.  La direction de magnétisation de la première couche magnétique et celle de la deuxième couche magnétique sont parallèles à la température inférieure au point de compensation magnétique Tcomp.
(JA)
 フリー層5、非磁性層4、ピン層3からなるスピンバルブ構造を有する磁気メモリー素子8であり、フリー層5が、前記非磁性層4側から第1磁性層51、中間層52、第2磁性層53の3層構造からなり、第1磁性層51が強磁性体、中間層52が非磁性体、第2磁性層53が、記憶保持温度域において磁気補償点を有するN型フェリ磁性体からなり、第1磁性層と前記第2磁性層の磁化の向きが、前記磁気補償点Tcompより低温において互いに平行である。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報