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1. WO2010064356 - 単結晶の製造方法および単結晶の製造装置

公開番号 WO/2010/064356
公開日 10.06.2010
国際出願番号 PCT/JP2009/005438
国際出願日 19.10.2009
IPC
C30B 29/06 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
02元素
06シリコン
CPC
C30B 15/305
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
30Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
305Stirring of the melt
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
C30B 35/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
35Apparatus in general, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or a homogeneous polycrystalline material with defined structure
Y10T 117/1032
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
117Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
10Apparatus
1024for crystallization from liquid or supercritical state
1032Seed pulling
Y10T 117/1072
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
117Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
10Apparatus
1024for crystallization from liquid or supercritical state
1032Seed pulling
1072including details of means providing product movement [e.g., shaft guides, servo means]
出願人
  • 信越半導体株式会社 Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 松本克 MATSUMOTO, Suguru [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 園川将 SONOKAWA, Susumu [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 上杉敏治 UESUGI, Toshiharu [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 森隆 MORI, Takashi [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 松本克 MATSUMOTO, Suguru
  • 園川将 SONOKAWA, Susumu
  • 上杉敏治 UESUGI, Toshiharu
  • 森隆 MORI, Takashi
代理人
  • 好宮幹夫 YOSHIMIYA, Mikio
優先権情報
2008-31008804.12.2008JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING METHOD AND SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR LA FABRICATION DE MONOCRISTAUX
(JA) 単結晶の製造方法および単結晶の製造装置
要約
(EN)
Provided is a method for manufacturing a single crystal by employing a horizontal magnetic field applied CZ method for pulling a single crystal, while applying a horizontal magnetic field to a silicon raw material melt contained in a quartz crucible by means of a magnetic field applying apparatus.  In the method for manufacturing a silicon single crystal, the center position of the magnetic field generated by means of the magnetic field applying apparatus is measured, and the measured center position and the pulling axis to be the rotating axis of the single crystal are shifted 2-14 mm in the horizontal direction prior to single crystal manufacture and/or during the single crystal manufacture.  Thus, the method and the apparatus for manufacturing a silicon single crystal, wherein a single crystal can be manufactured without variance due to the characteristics of the apparatus, while controlling the variance of the diameter and the oxygen concentration, are provided.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un monocristal de silicium qui utilise un procédé CZ pour tirer le monocristal tout en appliquant un champ magnétique horizontal à une masse fondue de silicium contenue dans un creuset en quartz au moyen d'un appareil d'application de champ magnétique. Dans ce procédé, la position centrale du champ magnétique généré par l'appareil est mesurée, et cette position centrale mesurée et l'axe de tirage devant être l'axe de rotation du monocristal sont décalés de 2-14 mm dans la direction horizontale avant et/ou pendant la fabrication du monocristal. Ainsi, l'invention concerne un procédé et un appareil pour fabriquer un monocristal de silicium, le monocristal étant fabriqué de façon uniforme grâce aux caractéristiques de l'appareil, tout en contrôlant la variation du diamètre et de la concentration d'oxygène.
(JA)
 本発明は、石英ルツボ内に収容したシリコン原料融液に、磁場印加装置により水平磁場を印加しながら単結晶の引き上げを行う水平磁場印加CZ法により単結晶を製造する方法において、磁場印加装置により発生した磁場の中心位置を測定し、単結晶製造前、及び/又は、単結晶製造中に渡って、測定された磁場の中心位置と単結晶の回転軸となる引上軸とを水平方向に2~14mmの範囲でずらすシリコン単結晶の製造方法である。これにより、装置の特性によるバラツキが無く、直径及び酸素濃度の変動を抑制しながら単結晶を製造することができるシリコン単結晶の製造方法及びその製造装置が提供される。
他の公開
DE112009003583
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