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1. WO2010061774 - アウトガス発生が低減されたレジスト下層膜形成組成物

公開番号 WO/2010/061774
公開日 03.06.2010
国際出願番号 PCT/JP2009/069615
国際出願日 19.11.2009
IPC
G03F 7/11 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
09構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
CPC
G03F 7/091
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
09characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
091characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
G03F 7/093
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
09characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
093characterised by antistatic means, e.g. for charge depletion
出願人
  • 日産化学工業株式会社 NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 坂本 力丸 SAKAMOTO, Rikimaru [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 何 邦慶 HO, Bangching (UsOnly)
  • 遠藤 貴文 ENDO, Takafumi [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 坂本 力丸 SAKAMOTO, Rikimaru
  • 何 邦慶 HO, Bangching
  • 遠藤 貴文 ENDO, Takafumi
代理人
  • 萼 経夫 HANABUSA, Tsuneo
優先権情報
2008-30255527.11.2008JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM WITH REDUCED OUTGASSING
(FR) COMPOSITION DE FORMATION D’UNE PELLICULE DE SOUS-COUCHE D’ENDUIT PROTECTEUR À DÉGAZAGE RÉDUIT
(JA) アウトガス発生が低減されたレジスト下層膜形成組成物
要約
(EN)
Provided is an underlayer film for a high-energy radiation resist for use in a lithography process for fabricating a semiconductor device. The underlayer film is applied on a semiconductor substrate and is used to prevent reflection, static electricity, and forming defects, and to suppress outgassing during the exposure of the high-energy radiation resist layer. Also provided is a composition for forming the underlayer film of the high-energy radiation resist, containing an aromatic ring structure or hetero ring structure as a film component. The aromatic ring structure or hetero ring structure component is included in the film in a proportion of 5 mass% to 85 mass%. Included is a compound having an aromatic ring structure or hetero ring structure. The compound is a polymer or polymer precursor which contains repeat units. The aromatic ring is a benzene ring or a condensed benzene ring. The hetero ring is a triazinetrione ring.
(FR)
L’invention concerne une pellicule de sous-couche pour un enduit protecteur contre les rayonnements à haute énergie utilisé dans un processus lithographique pour fabriquer un dispositif semi-conducteur. La pellicule de sous-couche est appliquée sur un substrat semi-conducteur et est utilisée pour empêcher la réflexion, l’électricité statique, et la formation de défauts, et pour supprimer le dégazage. L’invention concerne aussi une composition de formation de la pellicule de sous-couche de l’enduit protecteur contre les rayonnements à haute énergie, contenant une structure cyclique aromatique ou une structure hétérocyclique comme composant de la pellicule. Le composant de la pellicule contenant la structure cyclique aromatique ou la structure hétérocyclique est compris dans la pellicule dans une proportion massique de 5 % à 85 %. Il comprend un composé comportant une structure cyclique aromatique ou une structure hétérocyclique. Le composé est un composé polymère contenant des unités de répétition ou un cycle précurseur polymère. Le cycle aromatique est un cycle de benzène ou un cycle benzénique condensé. L’hétérocycle est un cycle de triazinetrione.
(JA)
【課題】 半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて、半導体基板上に塗布され、高エネルギー線レジスト層を露光する際の反射防止、帯電防止、現像欠陥、アウトガス発生を抑制するために用いる高エネルギー線レジストの下層膜を提供する。 【解決手段】 芳香族環構造又はヘテロ環構造を膜構成成分として含む高エネルギー線レジスト下層膜形成組成物。芳香族環構造又はヘテロ環構造を膜構成成分として、5~85質量%の割合で膜中に含有する。芳香族環構造又はヘテロ環構造を有する化合物を含む。化合物が繰り返し単位を含むポリマー、又はポリマー前駆体化合物である。芳香族環がベンゼン環又は縮合ベンゼン環である。ヘテロ環がトリアジントリオン環である。
関連公開情報:
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