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1. WO2010061469 - 圧電振動子の製造方法、並びに圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計

公開番号 WO/2010/061469
公開日 03.06.2010
国際出願番号 PCT/JP2008/071645
国際出願日 28.11.2008
IPC
H03H 3/02 2006.01
H電気
03基本電子回路
Hインビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
3インピーダンス回路網,共振回路,共振器の製造に特有な装置または工程
007電気機械的共振器または回路網の製造のためのもの
02圧電または電わい共振器または回路網の製造のためのもの
H03H 9/02 2006.01
H電気
03基本電子回路
Hインビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
02細部
CPC
H03H 2003/0492
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
3Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
007for the manufacture of electromechanical resonators or networks
02for the manufacture of piezo-electric or electrostrictive resonators or networks
04for obtaining desired frequency or temperature coefficient
0414Resonance frequency
0492during the manufacture of a tuning-fork
H03H 3/04
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
3Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
007for the manufacture of electromechanical resonators or networks
02for the manufacture of piezo-electric or electrostrictive resonators or networks
04for obtaining desired frequency or temperature coefficient
H03H 9/0519
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
05Holders; Supports
0504for bulk acoustic wave devices
0514consisting of mounting pads or bumps
0519for cantilever
H03H 9/1021
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
05Holders; Supports
10Mounting in enclosures
1007for bulk acoustic wave [BAW] devices
1014the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
1021the BAW device being of the cantilever type
H03H 9/215
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
15Constructional features of resonators consisting of piezo-electric or electrostrictive material
21Crystal tuning forks
215consisting of quartz
Y10T 29/42
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
29Metal working
42Piezoelectric device making
出願人
  • セイコーインスツル株式会社 SEIKO INSTRUMENTS INC. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 荒武 潔 ARATAKE, Kiyoshi [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 荒武 潔 ARATAKE, Kiyoshi
代理人
  • 松下 義治 MATSUSHITA, Yoshiharu
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PIEZOELECTRIC OSCILLATOR MANUFACTURING METHOD, PIEZOELECTRIC OSCILLATOR, OSCILLATOR, ELECTRONIC DEVICE, AND RADIO CLOCK
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN OSCILLATEUR PIÉZOÉLECTRIQUE, OSCILLATEUR PIÉZOÉLECTRIQUE, OSCILLATEUR, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET HORLOGE RADIO
(JA) 圧電振動子の製造方法、並びに圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計
要約
(EN)
Provided is a piezoelectric oscillator including: a package having a first substrate and a second substrate superposed so as to form a cavity between the substrates; an external electrode formed on the outer surface of the first substrate; an internal electrode formed on the first substrate so as to be contained in the cavity; a through electrode formed through the first substrate so as to electrically connect the external electrode to the internal electrode; and a piezoelectric oscillation piece which is sealed in the cavity and electrically connected to the internal electrode. The first and the second substrate are bonded with a glass having a low melting point. When the first substrate and the second substrate are bonded, the bonding film is heated to a predetermined bonding temperature and heated to a temperature higher than the bonding temperature before the bonding process.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un oscillateur piézoélectrique permettant de fabriquer un oscillateur piézoélectrique comprenant: un boîtier comportant un premier substrat et un second substrat superposés de manière à former une cavité entre les substrats; une électrode externe formée sur la surface extérieure du premier substrat; une électrode interne formée sur le premier substrat de manière à être contenue dans la cavité; une électrode traversante formée à travers le premier substrat de manière à connecter électriquement l'électrode externe à l'électrode interne; un élément d'oscillation piézoélectrique qui est scellé dans la cavité et connecté électriquement à l'électrode interne. Le premier et le second substrat sont liés au moyen d'un verre présentant un point de fusion bas. Une fois que le premier substrat et le second substrat sont liés, le film de liaison est chauffé à une température de liaison prédéterminée, et chauffé à une température supérieure à la température de liaison mesurée avant le procédé de liaison.
(JA)
 この圧電振動子は、第1の基板と第2の基板とが、間にキャビティを形成するように重ね合わせられて構成されたパッケージと;第1の基板の外表面に形成された外部電極と;キャビティ内に収容されるように第1の基板に形成された内部電極と;外部電極と内部電極とを電気的に接続するように第1の基板を貫通して形成された貫通電極と;キャビティ内に封止されると共に、キャビティ内で内部電極に電気的に接続された圧電振動片と;を備える圧電振動子であって、第1の基板と第2の基板とが、低融点ガラスからなる接合膜を介して接合され;接合膜は、第1の基板と第2の基板とを接合する際に所定の接合温度に加熱されると共に、前記接合の前に接合温度より高温に加熱されて形成されている。
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