WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |

World Intellectual Property Organization
1. (WO2010058820) 窒化物半導体

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/058820    国際出願番号:    PCT/JP2009/069646
国際公開日: 27.05.2010 国際出願日: 19.11.2009
H01L 21/205 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01)
出願人: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 14-1, Shiba 4-chome, Minato-ku, Tokyo 1080014 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HORIE Hideyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KURIHARA Kaori [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HORIE Hideyoshi; (JP).
代理人: OGURI Shohei; (JP)
2008-297177 20.11.2008 JP
(JA) 窒化物半導体
要約: front page image
(EN)A nitride semiconductor of high quality is provided which, when produced as a light-emitting element, has a high luminescent efficiency. The nitride semiconductor comprises, superposed in the following order, a nitride semiconductor part of one conduction type, a quantum well active-layer structure part, and a nitride semiconductor part of another conduction type, which is opposite to the former conduction type.  When this nitride semiconductor is obtained, crystals are grown on a substrate having a main surface constituted of a nonpolar nitride.  The nitride semiconductor part of the former conduction type is formed by superposing a first nitride semiconductor layer and a second nitride semiconductor layer in this order, and the second nitride semiconductor layer is deposited in a thickness of from 400 nm to 20 µm so as to have a nonpolar outermost surface.  By selecting the substrate for crystal growth, the electrons and holes which contribute to luminescence based on the QCSE are inhibited from being spatially separated, and efficient radiation is rendered possible.  By regulating the second nitride semiconductor layer so as to have the proper thickness, the nitride semiconductor is prevented from having a considerably rough surface.
(FR)L'invention porte sur un semi-conducteur au nitrure de haute qualité qui, lorsqu'il est produit en tant qu'élément électroluminescent, possède un rendement de luminescence élevé. Le semi-conducteur au nitrure comprend, superposées dans l'ordre suivant, une partie semi-conductrice au nitrure d'un premier type de conduction, une partie à structure de couche active à puits quantique, et une partie semi-conductrice au nitrure d'un autre type de conduction, qui est opposé au premier type de conduction. Lorsque ce semi-conducteur au nitrure est obtenu, des cristaux sont développés sur un substrat ayant une surface principale constituée d'un nitrure non polaire. La partie semi-conductrice au nitrure du premier type de conduction est formée par superposition d'une première couche semi-conductrice au nitrure et d'une seconde couche semi-conductrice au nitrure dans cet ordre, et la seconde couche semi-conductrice au nitrure est déposée en une épaisseur de 400 nm à 20 µm de façon à avoir une surface extérieure non polaire. Par sélection du substrat pour une croissance cristalline, on empêche les électrons et trous qui contribuent à la luminescence basée sur l'effet Stark de confinement quantique (QCSE) d'être spatialement séparés, et un rayonnement efficace est rendu possible. Par régulation de la seconde couche semi-conductrice au nitrure de façon à avoir l'épaisseur appropriée, on empêche le semi-conducteur au nitrure d'avoir une surface considérablement rugueuse.
(JA) 発光素子とした場合の発光効率が高い、高品質の窒化物半導体を提供すること。  本発明では、一方導電型の窒化物半導体部と、量子井戸活性層構造部と、一方導電型とは逆の他方導電型の窒化物半導体部を順次積層させた窒化物半導体を得るに際し、非極性の窒化物の主面を有する基体の上に結晶成長させることとし、一方導電型の窒化物半導体部を第1の窒化物半導体層と第2の窒化物半導体層を順次積層させたものとするとともに、第2の窒化物半導体層を400nm~20μmの厚みを有し最表面が非極性面であるようにした。結晶成長用の基体として上記のものを選択することによりQCSE効果に基づく発光に寄与する電子とホールの空間的分離が抑制され、効率的な輻射が実現される。また、上記第2の窒化物半導体層の厚みを適正なものとすることにより、極めて激しい凹凸を呈する窒化物半導体表面となることが回避される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)