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1. (WO2010058672) 基板処理方法及び基板処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/058672    国際出願番号:    PCT/JP2009/067995
国際公開日: 27.05.2010 国際出願日: 19.10.2009
IPC:
H01L 21/683 (2006.01), C23C 14/50 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
出願人: SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION [JP/JP]; 5-1, Kasama 2-chome, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2478610 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KOGURE, Kimio [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KOGURE, Kimio; (JP)
代理人: HYUGAJI, Masahiko; (JP)
優先権情報:
2008-298571 21.11.2008 JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法及び基板処理装置
要約: front page image
(EN)A substrate processing method is provided with: a step wherein the inside of a processing chamber (12) is brought under second pressure which is higher than first pressure in substrate processing, in a state where a substrate (W) is spaced apart from an electrostatically attracting surface (23a); a step wherein the substrate (W) is attracted to the electrostatically attracting surface (23a) by moving the substrate (W) with respect to the electrostatically attracting surface (23a) under the second pressure, and a gas existing inside the processing chamber (12) under the second pressure is applied between the substrate (W) and the electrostatically attracting surface (23a); a step wherein heat is transferred between the substrate (W) and an electrostatic chuck table (21) by using the gas as a medium, and the substrate (W) is heated or cooled; and a step wherein the air inside the processing chamber (12) is released so as to have the inside under the first pressure, and the substrate (W) is processed under the first pressure.
(FR)L'invention porte sur un procédé de traitement de substrat qui comporte : une étape dans laquelle l'intérieur d'une chambre de traitement (12) est amené à une seconde pression qui est supérieure à une première pression dans le traitement de substrat, dans un état où un substrat (W) est espacé d'une surface à attraction électrostatique (23a); une étape dans laquelle le substrat (W) est attiré vers la surface à attraction électrostatique (23a) par déplacement du substrat (W) par rapport à la surface à attraction électrostatique (23a) sous une seconde pression, et un gaz existant à l'intérieur de la chambre de traitement (12) sous la seconde pression est appliqué entre le substrat (W) et la surface à attraction électrostatique (23a); une étape dans laquelle de la chaleur est transférée entre le substrat (W) et une table à mandrin électrostatique (21) par utilisation de gaz en tant que véhicule, et le substrat (W) est chauffé ou refroidi; et une étape dans laquelle l'air à l'intérieur de la chambre de traitement (12) est libéré de façon à avoir l'intérieur sous une première pression, et le substrat (W) est traité sous la première pression.
(JA)本発明の基板処理方法は、基板(W)を静電吸着面(23a)に対して離間させた状態で処理室(12)内を基板処理時における第1の圧力よりも高い第2の圧力にするステップと、その第2の圧力下で基板(W)を静電吸着面(23a)に対して移動させて基板(W)を静電吸着面(23a)に吸着させ、基板(W)と静電吸着面(23a)との間に第2の圧力下で処理室(12)内に存在していたガスを介在させるステップと、そのガスを媒体に基板(W)と静電チャックテーブル(21)との間で熱伝達を行わせ基板(W)を加熱または冷却するステップと、処理室(12)内を排気して第1の圧力にし、その第1の圧力下で基板(W)の処理を行うステップとを備えている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)