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1. (WO2010058662) 有機薄膜トランジスタの製造方法、及び有機薄膜トランジスタ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/058662    国際出願番号:    PCT/JP2009/067627
国際公開日: 27.05.2010 国際出願日: 09.10.2009
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01)
出願人: Konica Minolta Holdings, Inc. [JP/JP]; 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TSUZUKI Seiichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMADA Jun [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TSUZUKI Seiichi; (JP).
YAMADA Jun; (JP)
優先権情報:
2008-295427 19.11.2008 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR, AND ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR DE FILM ORGANIQUE MINCE, ET TRANSISTOR DE FILM ORGANIQUE MINCE
(JA) 有機薄膜トランジスタの製造方法、及び有機薄膜トランジスタ
要約: front page image
(EN)Provided are an organic TFT manufacturing method by which ink leakage into an unnecessary region can be suppressed and excellent characteristics and high reliability can be obtained, and an organic TFT.  The organic TFT manufacturing method has: a step of forming a source electrode and a drain electrode on a base member; a step of forming a bank layer, which has openings on a channel region between the source electrode and the drain electrode and on a predetermined region of the base member and a groove surrounding the opening on the circumference of the opening on the predetermined region; and a step of forming the organic semiconductor film by dropping an organic semiconductor solution to the opening on the bank layer formed on the channel region.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication de TFT organique permettant de supprimer les fuites d'encre dans une région inutile et d'obtenir d'excellentes caractéristiques et une fiabilité élevée, ainsi qu'un TFT organique. Ledit procédé de fabrication de TFT organique comprend les étapes suivantes : une étape de formation d'une électrode source et d'une électrode déversoir sur un élément de base ; une étape de formation d'une couche de bord, qui présente des ouvertures situées sur une région de canal entre l'électrode source et l'électrode déversoir, et sur une région prédéfinie de l'élément de base et une rainure entourant l'ouverture sur la circonférence de l'ouverture sur la région prédéfinie ; et une étape de formation du film semi-conducteur organique par versement d'une solution semi-conductrice organique dans l'ouverture de la couche de bord formée sur la région de canal.
(JA) 本発明は、不要な領域へのインクの漏れ込みを抑え、優れた特性と高い信頼性を得ることができる有機TFTの製造方法、及び有機TFTを提供する。下地部材の上に、ソース電極とドレイン電極を形成する工程と、ソース電極とドレイン電極との間のチャネル領域と、下地部材の所定の領域とに開口を有するとともに、所定の領域の開口の周縁に開口を囲む溝を有するバンク層を形成する工程と、チャネル領域に形成されたバンク層の開口に有機半導体溶液を滴下して有機半導体膜を成膜する工程と、を有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)