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1. (WO2010058610) 炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/058610    国際出願番号:    PCT/JP2009/051762
国際公開日: 27.05.2010 国際出願日: 03.02.2009
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HARADA, Shin [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MASUDA, Takeyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
WADA, Keiji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TSUMORI, Masato [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HARADA, Shin; (JP).
MASUDA, Takeyoshi; (JP).
WADA, Keiji; (JP).
TSUMORI, Masato; (JP)
代理人: FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office, Nakanoshima Central Tower, 22nd Floor, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2008-297088 20.11.2008 JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR À BASE DE CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed are a silicon carbide semiconductor device having excellent electrical characteristics such as channel mobility and a method for manufacturing such a silicon carbide semiconductor device. A semiconductor device (1) comprises a silicon carbide substrate (2) having an off-angle of not less than 50˚ but not more than 65˚ with respect to the {0001} plane direction, a p-type layer (4) serving as a semiconductor layer, and an oxide film (8) serving as an insulating film. The p-type layer (4) is formed on the substrate (2) and composed of silicon carbide. The oxide film (8) is formed in contact with a surface of the p-type layer (4). The maximum value of the nitrogen atom concentration in the region within 10 nm from the interface between the semiconductor layer and the insulating film (namely, the interface between the channel region and the oxide film (8)) is not less than 1 × 1021 cm-3.
(FR)L'invention porte sur un dispositif semi-conducteur à base de carbure de silicium présentant d'excellentes caractéristiques électriques, telles qu'une mobilité de canal, et sur un procédé de fabrication d'un tel dispositif semi-conducteur à base de carbure de silicium. Un dispositif semi-conducteur (1) comprend un substrat de carbure de silicium (2) présentant un angle vif non inférieur à 50 ° mais non supérieur à 65 ° par rapport à la direction de plan {0001}, une couche de type p (4) servant de couche semi-conductrice et un film d'oxyde (8) servant de film isolant. La couche de type p (4) est formée sur le substrat (2) et composée de carbure de silicium. Le film d'oxyde (8) est formé en contact avec une surface de la couche de type p (4). La valeur maximale de la concentration en atomes d'azote, dans la région dans les 10 nm à partir de l'interface entre la couche semi-conductrice et le film isolant (à savoir, l'interface entre la région de canal et le film d'oxyde (8)), n'est pas inférieure à 1 × 1021 cm-3.
(JA) チャネル移動度のような電気的特性の優れた炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法が得られる。半導体装置(1)は、面方位{0001}に対しオフ角が50°以上65°以下である、炭化ケイ素からなる基板(2)と、半導体層としてのp型層(4)と絶縁膜としての酸化膜(8)とを備える。p型層(4)は基板(2)上に形成され、炭化ケイ素からなる。酸化膜(8)は、p型層(4)の表面に接触するように形成されている。半導体層と絶縁膜との界面(チャネル領域と酸化膜(8)との界面)から10nm以内の領域における窒素原子濃度の最大値が1×1021cm-3以上である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)