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1. (WO2010058541) フレキシブル半導体装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/058541    国際出願番号:    PCT/JP2009/006071
国際公開日: 27.05.2010 国際出願日: 13.11.2009
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), G02F 1/1333 (2006.01), G02F 1/1362 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUZUKI, Takeshi; (米国のみ).
HOTEHAMA, Kenichi; (米国のみ).
HIRANO, Koichi; (米国のみ).
NAKATANI, Seiichi; (米国のみ)
発明者: SUZUKI, Takeshi; .
HOTEHAMA, Kenichi; .
HIRANO, Koichi; .
NAKATANI, Seiichi;
代理人: TANAKA, Mitsuo; (JP)
優先権情報:
2008-294119 18.11.2008 JP
発明の名称: (EN) FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS FLEXIBLE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) フレキシブル半導体装置およびその製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a flexible semiconductor device.  The flexible semiconductor device includes: a metal layer having a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode; a metal oxide film constituting the metal layer and formed on the surface of the metal layer; and a semiconductor layer formed on the gate electrode via the metal oxide film.  In the flexible semiconductor device, the metal layer locally has on the surface thereof, a non-coated portion not coated with the metal oxide film.  The source electrode is electrically connected to the semiconductor layer via the non-coated portion.  The drain electrode is electrically connected to the semiconductor layer via the non-coated portion.
(FR)L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs flexible. Le dispositif à semi-conducteurs flexible comprend : une couche métallique comprenant une électrode de grille, une électrode de source et une électrode de drain ; un film d'oxyde métallique constituant la couche métallique et formé sur la surface de la couche métallique ; et une couche semi-conductrice formée sur l'électrode de grille avec le film d'oxyde métallique intercalé. Dans le dispositif à semi-conducteurs flexible, la couche métallique comprend localement, sur sa surface, une partie non revêtue qui n'est pas revêtue du film d'oxyde métallique. L'électrode de source est électriquement connectée à la couche semi-conductrice par la partie non revêtue. L'électrode de drain est électriquement connectée à la couche semi-conductrice par la partie non revêtue.
(JA) 本発明では、フレキシブル半導体装置が提供される。本発明のフレキシブル半導体装置は、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する金属層、金属層を構成する金属の金属酸化膜であって、金属層の表面領域に形成された金属酸化膜、ならびに、金属酸化膜を介してゲート電極の上に形成された半導体層を有して成る。本発明のフレキシブル半導体装置は、金属層の表面領域に金属酸化膜で被覆されていない非被覆部位が局所的に形成されており、非被覆部位を介してソース電極と半導体層との間およびドレイン電極と半導体層との間が相互に電気的に接続されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)