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1. (WO2010058528) 半導体層およびその形成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/058528    国際出願番号:    PCT/JP2009/005824
国際公開日: 27.05.2010 国際出願日: 02.11.2009
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
FURUKAWA, Hiroaki; (米国のみ)
発明者: FURUKAWA, Hiroaki;
代理人: OKUDA, Seiji; (JP)
優先権情報:
2008-297296 20.11.2008 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME
(FR) COUCHE SEMI-CONDUCTRICE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体層およびその形成方法
要約: front page image
(EN)A semiconductor layer (100) includes an upper surface (100o), a lower surface (100u), and a side surface (100s).  In the vicinity of the boundary between the side surface (100s) and the upper surface (100o) on the side surface (100s), the tangent (T1) of the boundary is inclined with respect to the normal of the lower surface (100u).  At a portion of the side surface (100s) apart from the upper surface (100o) as compared to the vicinity of the boundary, the angle defined by the tangent (T2) of that portion and the plane defined by the lower surface (100u) is greater than the angle defined by the tangent (T1) in the vicinity of the boundary and the plane defined by the lower surface (100u).
(FR)La couche semi-conductrice (100) selon l’invention comprend une surface supérieure (100o), une surface inférieure (100u) et une surface latérale (100s).  Au voisinage de la limite entre la surface latérale (100s) et la surface supérieure (100o) sur la surface latérale (100s), la tangente (T1) de la limite est inclinée par rapport à la normale de la surface inférieure (100u).  À une portion de la surface latérale (100s) séparée de la surface supérieure (100o) comparée au voisinage de la limite, l’angle défini par la tangente (T2) de cette portion et du plan défini par la surface inférieure (100u) est supérieur à l’angle défini par la tangente (T1) au voisinage de la limite et le plan défini par la surface inférieure (100u).
(JA) 本発明による半導体層(100)は、上面(100o)と、下面(100u)と、側面(100s)とを備える。側面(100s)のうちの側面(100s)と上面(100o)との境界近傍部分において、その接線(T1)は下面(100u)の法線に対して傾いている。側面(100s)のうちの上面(100o)から境界近傍部分よりも離れたある部分において、その接線(T2)が下面(100u)によって規定される平面となす角度は、境界近傍部分の接線(T1)が下面(100u)によって規定される平面となす角度よりも大きい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)