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1. (WO2010055826) 光変調器とその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/055826    国際出願番号:    PCT/JP2009/069110
国際公開日: 20.05.2010 国際出願日: 10.11.2009
IPC:
G02F 1/025 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
FUJIKATA, Junichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
BABA, Toshio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
USHIDA, Jun [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: FUJIKATA, Junichi; (JP).
BABA, Toshio; (JP).
USHIDA, Jun; (JP)
代理人: MIYAZAKI, Teruo; (JP)
優先権情報:
2008-290903 13.11.2008 JP
発明の名称: (EN) OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) MODULATEUR OPTIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 光変調器とその製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is an optical modulator including a dielectric layer (11) sandwiched by at least a part of a semiconductor layer (8) doped so as to exhibit a first conductive type and at least a part of a semiconductor layer (9) doped so as to exhibit a second conductive type.  The surface of the semiconductor layer (8) of the first conductive type which is in contact with the dielectric layer (11) has a convex/concave shape.  That is, the dielectric layer (11) is formed on the semiconductor layer (8) of the first conductive type having the convex/concave shape, and the semiconductor layer (9) of the second conductive type is formed on the dielectric layer (11).
(FR)L’invention concerne un modulateur optique comprenant une couche diélectrique (11) intercalée par au moins une partie d’une couche semi-conductrice (8) dopée de façon à présenter un premier type de conductivité et au moins une partie d’une couche semi-conductrice (9) dopée de façon à présenter un second type de conductivité.  La surface de la couche semi-conductrice (8) du premier type de conductivité qui est en contact avec la couche diélectrique (11) présente une forme convexe/concave.  C'est-à-dire que la couche diélectrique (11) est formée sur la couche semi-conductrice (8) du premier type de conductivité présentant la forme convexe/concave, et la couche semi-conductrice (9) du second type de conductivité est formée sur la couche diélectrique (11).
(JA) 本発明の光変調器は、第1導電型を呈するようにドープ処理された半導体層(8)の少なくとも一部と第2導電型を呈するようにドープ処理された半導体層(9)の少なくとも一部とが誘電体層(11)を挟んで重なり合って形成されている。また、第1導電型を呈する半導体層(8)および第2導電型を呈する半導体層(9)が誘電体層(11)を挟んで重なり合った部分において、第1導電型の半導体層(8)の表面は凹凸形状を有している。凹凸形状の第1導電型の半導体層(8)上には誘電体層(11)が形成され、誘電体層(11)上に第2導電型の半導体層(9)が形成されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)