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1. (WO2010055734) 半導体圧力センサ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/055734    国際出願番号:    PCT/JP2009/066589
国際公開日: 20.05.2010 国際出願日: 25.09.2009
IPC:
G01L 9/00 (2006.01), H01L 29/84 (2006.01)
出願人: ALPS ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-7, Yukigaya-otsukamachi, Ota-ku, Tokyo 1458501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
AOKI, Daigo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HASHIMOTO, Hideyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOBAYASHI, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOIZUMI, Kunio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIMIZU, Yoshiaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKASHIMA, Yutaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YOKOYAMA, Shinya [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: AOKI, Daigo; (JP).
HASHIMOTO, Hideyuki; (JP).
KOBAYASHI, Tetsuya; (JP).
KOIZUMI, Kunio; (JP).
SHIMIZU, Yoshiaki; (JP).
TAKASHIMA, Yutaka; (JP).
YOKOYAMA, Shinya; (JP)
代理人: MIURA, Kunio; (JP)
優先権情報:
2008-292956 17.11.2008 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR PRESSURE SENSOR
(FR) CAPTEUR DE PRESSION SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体圧力センサ
要約: front page image
(EN)Provided is a semiconductor pressure sensor which improves the sensor sensitivity and which is excellent in pressure resistant characteristics and temperature characteristics.  The semiconductor pressure sensor is provided with a diaphragm formed by a cavity provided on one of the surface or the back surface of a silicon substrate and a plurality of piezoresistors arranged in a diaphragm edge.  A recessed part, which has an area larger than the planar shape of the diaphragm and has all the edges thereof located on the outer side of the diaphragm edge in a planar view, is formed in passivation coating which covers the entire surface of the silicon substrate on the diaphragm side.  The passivation coating located on the diaphragm preferably consists of only SiO2.
(FR)L’invention concerne un capteur de pression semi-conducteur qui améliore la sensibilité de capteur et dont les caractéristiques de résistance à la pression et les caractéristiques de température sont excellentes.  Le capteur de pression semi-conducteur comporte un diaphragme formé par une cavité réalisée sur l’une des surfaces ou la surface arrière d’un substrat de silicium et une pluralité de piézorésistances disposées dans un coin du diaphragme.  Une partie évidée dont l'aire est supérieure à la forme planaire du diaphragme et dont tous les angles sont situés sur le côté extérieur du coin du diaphragme en vue planaire, est formée en revêtement de passivation qui recouvre toute la surface du substrat de silicium du côté du diaphragme.  Le revêtement de passivation situé sur le diaphragme est de préférence constitué uniquement de SiO2.
(JA) センサ感度を向上させ、耐圧特性及び温度特性に優れた半導体圧力センサを得る。  シリコン基板の表裏面の一方に設けたキャビティによってダイヤフラムを形成し、ダイヤフラムエッジに複数のピエゾ抵抗を配置した半導体圧力センサであって、シリコン基板のダイヤフラム側の表面全体を覆う保護膜に、ダイヤフラムの平面形状よりも大きい面積であって、その全エッジを平面的に見てダイヤフラムエッジよりも外側に位置させた凹部を形成した。ダイヤフラム上に位置する保護膜はSiO2のみで構成するのがよい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)