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1. (WO2010055614) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/055614    国際出願番号:    PCT/JP2009/005557
国際公開日: 20.05.2010 国際出願日: 22.10.2009
IPC:
H01L 21/822 (2006.01), H01L 25/00 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MATSUNAGA, Tomohiro; (米国のみ).
HIROFUJI, Yuichi; (米国のみ)
発明者: MATSUNAGA, Tomohiro; .
HIROFUJI, Yuichi;
代理人: MAEDA, Hiroshi; (JP)
優先権情報:
2008-290215 12.11.2008 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)In a semiconductor device (1), inductor elements (201, 202) are arranged at the outer side as compared to a semiconductor substrate (11).
(FR)L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs (1) dans lequel des éléments d'inductance (201, 202) sont agencés sur le côté externe par rapport à un substrat semi-conducteur (11).
(JA) 半導体装置(1)では、インダクタ素子(201),(202)は、半導体基板(11)よりも外側に配置されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)