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1. (WO2010053173) 半導体ウェーハの温度制御装置および温度制御方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/053173    国際出願番号:    PCT/JP2009/069044
国際公開日: 14.05.2010 国際出願日: 09.11.2009
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
出願人: KELK Ltd. [JP/JP]; 3-25-1 Shinomiya, Hiratsuka-shi, Kanagawa 2548543 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKECHI, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKAHASHI, Norio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KIYOSAWA, Wataru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MARUYAMA, Shigenao [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOMIYA, Atsuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKECHI, Hiroaki; (JP).
TAKAHASHI, Norio; (JP).
KIYOSAWA, Wataru; (JP).
MARUYAMA, Shigenao; (JP).
KOMIYA, Atsuki; (JP)
代理人: KIMURA, Takahisa; (JP)
優先権情報:
2008-287812 10.11.2008 JP
発明の名称: (EN) APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING TEMPERATURE OF SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE RÉGULATION DE TEMPÉRATURE DE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体ウェーハの温度制御装置および温度制御方法
要約: front page image
(EN)A time required for manufacturing a semiconductor device is shortened by increasing and reducing the base temperature of semiconductor wafers, such as a silicon wafer, to target temperatures at a high speed, a semiconductor device is manufactured with high qualities by having the in-plane temperature distribution of the semiconductor wafer as desired with high accuracy (by uniformizing the in-plane temperature and varying the in-plane temperature distribution by region), and furthermore, an apparatus with excellent energy efficiency is simply configured.  In the case of controlling the temperature of the semiconductor wafer to be at the target temperature by increasing the temperature of the semiconductor wafer, a control means performs switching so as to supply a high-temperature circulating liquid at a temperature higher than the target temperature in a high-temperature tank to a channel in a stage, and controls respective thermoelectric elements in a plurality of zones so as to have the temperature of the semiconductor wafer match the target temperature and that the desired in-plane temperature distribution of the semiconductor wafer is provided .
(FR)Selon l'invention, une durée requise pour fabriquer un dispositif à semi-conducteurs est raccourcie par augmentation et réduction de la température de base de tranches de semi-conducteur, telles qu'une tranche de silicium, à des températures cibles à grande vitesse, un dispositif à semi-conducteurs est fabriqué avec des qualités élevées en amenant la distribution de température dans le plan de la tranche de semi-conducteur à être telle que désirée avec une précision élevée (par uniformisation de la température dans le plan et modification de la distribution de température dans le plan par région), et en outre, un appareil ayant un excellent rendement énergétique est configuré de façon simple. Dans le cas de régulation de la température de la tranche de semi-conducteur pour l'amener à la température cible par augmentation de la température de la tranche de semi-conducteur, un moyen de commande effectue une commutation de façon à amener un liquide circulant à haute température à une température supérieure à la température cible dans un réservoir à haute température vers un canal dans une platine, et commande des éléments thermoélectriques respectifs dans une pluralité de zones de façon à amener la température de la tranche de semi-conducteur à correspondre à la température cible et à obtenir la distribution de température dans le plan désirée de la tranche de semi-conducteur.
(JA) シリコンウェーハなどの半導体ウェーハのベース温度を高速に目標温度に上昇させたり、目標温度まで下降させたりすることで、半導体デバイスの製造時間を短縮させるようにするとともに、半導体ウェーハの面内の温度分布を、精度よく所望する温度分布に(面内を均一にしたり、面内温度分布を各部で異ならせたり)することにより、半導体デバイスを高品質に製造できるようにし、更にエネルギー効率に優れ、装置を簡易に構成できるようにする。制御手段は、半導体ウェーハの温度を上昇させて目標温度に制御する場合には、高温槽内の目標温度よりも高い温度の高温循環液がステージ内の流路に供給されるように切り換えて、半導体ウェーハの温度が目標温度に一致し半導体ウェーハの面内温度分布が所望温度分布になるように複数のゾーンごとの熱電素子を制御する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)