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1. (WO2010053135) 表示装置用Al合金膜、表示装置およびスパッタリングターゲット
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/053135    国際出願番号:    PCT/JP2009/068923
国際公開日: 14.05.2010 国際出願日: 05.11.2009
IPC:
G02F 1/1343 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO [JP/JP]; 10-26, Wakinohama-cho 2-chome, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6518585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NANBU Akira; (米国のみ).
GOTO Hiroshi; (米国のみ).
MIKI Aya; (米国のみ).
OKUNO Hiroyuki; (米国のみ).
NAKAI Junichi; (米国のみ).
KISHI Tomoya; (米国のみ).
TAKAGI Toshiaki; (米国のみ).
NAMBA Shigenobu; (米国のみ).
NAGAO Mamoru; (米国のみ).
KOBAYASHI Nobuhiro; (米国のみ)
発明者: NANBU Akira; .
GOTO Hiroshi; .
MIKI Aya; .
OKUNO Hiroyuki; .
NAKAI Junichi; .
KISHI Tomoya; .
TAKAGI Toshiaki; .
NAMBA Shigenobu; .
NAGAO Mamoru; .
KOBAYASHI Nobuhiro;
代理人: OGURI Shohei; (JP)
優先権情報:
2008-284893 05.11.2008 JP
2008-284894 05.11.2008 JP
2009-004687 13.01.2009 JP
発明の名称: (EN) AL ALLOY FILM FOR DISPLAY DEVICE, DISPLAY DEVICE AND SPUTTERING TARGET
(FR) FILM EN ALLIAGE D’ALUMINIUM POUR DISPOSITIF D’AFFICHAGE, DISPOSITIF D’AFFICHAGE ET CIBLE DE PULVÉRISATION
(JA) 表示装置用Al合金膜、表示装置およびスパッタリングターゲット
要約: front page image
(EN)Disclosed is an Al alloy film which can be in direct contact with a transparent pixel electrode in a wiring structure of a thin film transistor substrate that is used in a display device, and which has improved corrosion resistance against an amine remover liquid that is used during the production process of the thin film transistor.  Also disclosed is a display device using the Al alloy film.  Specifically disclosed is an Al alloy film for a display device, said Al alloy film being directly connected with a transparent conductive film on a substrate of a display device, and containing 0.05-2.0 atom% of Ge, at least one element selected from among element group X (Ni, Ag, Co, Zn and Cu), and 0.02-2 atom% of at least one element selected from among element group Q consisting of the rare earth elements.  A Ge-containing deposit and/or a Ge-concentrated part is present in the Al alloy film for a display device.  Also specifically disclosed is a display device comprising the Al alloy film.
(FR)Cette invention concerne un film en alliage d’aluminium pouvant être en contact direct avec une électrode de pixels transparente dans une structure de câblage de support de transistor à film mince et présentant une résistance améliorée à la corrosion provoquée par un liquide suppresseur d’amine utilisé pendant le processus de fabrication du transistor à film mince. L’invention concerne également un dispositif d’affichage à film en alliage d’aluminium. Spécifiquement, l’invention porte sur un film en alliage d’aluminium pour dispositif d’affichage, ledit film en alliage d’aluminium étant connecté directement à un film conducteur transparent sur un support du dispositif d’affichage et contenant 0,05-2% d’atomes de Ge, au moins un élément pris dans le groupe d’éléments X (Ni, Ag, Co, Zn et Cu), et 0,02-2% d’atomes d’au moins un élément pris dans le groupe Q constitué d’éléments de terres rares. Un dépôt contenant Ge et/ou une partie Ge concentrée sont présents dans le film d’aluminium pour dispositif d’affichage. Est également décrit spécifiquement un dispositif d’affichage contenant le film d’alliage d’aluminium.
(JA) 本発明は、表示デバイスに用いられる薄膜トランジスタ基板の配線構造において、Al合金膜と透明画素電極を直接コンタクトさせることができるとともに、薄膜トランジスタの製造プロセス中に用いられるアミン系剥離液に対する腐食性を改善できるAl合金膜を開発し、それを備えた表示デバイスを提供する。本発明は、表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるAl合金膜であって、該Al合金膜が、Geを0.05~2.0原子%、および元素群X(Ni、Ag、Co、Zn、Cu)より選択される少なくとも1種の元素を含むと共に、希土類元素からなる元素群Qより選択される少なくとも1種の元素を0.02~2原子%含み、かつ、前記Al合金膜中に、Ge含有析出物および/またはGe濃化部が存在する表示装置用Al合金膜、及び、該Al合金膜を備えた表示装置に関する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)