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1. (WO2010052967) シリコン発光素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/052967    国際出願番号:    PCT/JP2009/065665
国際公開日: 14.05.2010 国際出願日: 08.09.2009
IPC:
H01L 33/00 (2010.01), H01S 5/32 (2006.01)
出願人: HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP) (米国を除く全ての指定国).
CHU Shucheng [CN/JP]; (JP) (米国のみ).
KAN Hirofumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: CHU Shucheng; (JP).
KAN Hirofumi; (JP)
代理人: HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl. 1-1, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
優先権情報:
2008-285545 06.11.2008 JP
発明の名称: (EN) SILICON LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ELÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT EN SILICIUM
(JA) シリコン発光素子
要約: front page image
(EN)Disclosed is a silicon light-emitting element comprising: a first electrically conductive silicon substrate (10) which has a first surface (10a) and a second surface (10b) opposed to the first surface (10a); an insulating film (11) which is arranged on the first surface (10a) of the silicon substrate (10); a second electrically conductive silicon layer (12) which is arranged on the insulating film (11) and is different from the first electrically conductive silicon substrate (10); a first electrode (13) which is arranged on the silicon layer (12); and a second electrode (14) which is arranged on the second surface of the silicon substrate (10). In the silicon light-emitting element, the carrier concentration of the silicon substrate (10) is 5 × 1015 cm-3 to 5 × 1018 cm-3, the carrier concentration of the silicon layer (12) is 1 × 1017 cm-3 to 5 × 1019 cm-3 and is higher by one or more orders of magnitude than that of the silicon substrate (10), and the insulating film (11) has a film thickness of 0.3 to 5 nm. The silicon light-emitting element is applicable to a light source for silicon photonics.
(FR)La présente invention a trait à un élément électroluminescent en silicium comprenant : un premier substrat de silicium électroconducteur (10) qui est pourvu d'une première surface (10a) et d'une seconde surface (10b) opposée à la première surface (10a); une couche isolante (11) qui est disposée sur la première surface (10a) du substrat de silicium (10); une seconde couche de silicium électroconductrice (12) qui est disposée sur la couche isolante (11) et qui est différente du premier substrat de silicium électroconducteur (10); une première électrode (13) qui est disposée sur la couche de silicium (12); et une seconde électrode (14) qui est disposée sur la seconde surface du substrat de silicium (10). Dans l'élément électroluminescent en silicium, la concentration de porteurs du substrat de silicium (10) est de 5 × 1015 cm-3 à 5 × 1018 cm-3, la concentration de porteurs de la couche de silicium (12) est de 1 × 1017 cm-3 à 5 × 1019 cm-3 et elle est supérieure d'un ou de plusieurs ordres de grandeur par rapport à celle du substrat de silicium (10), et la couche isolante (11) présente une épaisseur de couche de 0,3 à 5 nm. L'élément électroluminescent en silicium peut être appliqué à une source de lumière pour un élément photonique en silicium.
(JA) 第1の面10aと該第1の面10aの反対側にある第2の面10bとを有する第1導電型のシリコン基板10と、シリコン基板10の第1の面10a上に設けられた絶縁膜11と、絶縁膜11上に設けられ第1導電型と異なる第2導電型のシリコン層12と、シリコン層12上に設けられた第1の電極13と、シリコン基板の第2の面上に設けられた第2の電極14と、を備え、シリコン基板10のキャリア濃度は、5×1015cm-3~5×1018cm-3であり、シリコン層12のキャリア濃度は、1×1017cm-3~5×1019cm-3であり、且つ、シリコン基板10のキャリア濃度より一桁以上大きく、絶縁膜11の膜厚は、0.3nm~5nmである。これにより、シリコンフォトニクスの光源に適用可能なシリコン発光素子が実現される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)