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1. (WO2010052953) 光電変換装置の製造方法及び光電変換装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/052953    国際出願番号:    PCT/JP2009/062436
国際公開日: 14.05.2010 国際出願日: 08.07.2009
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 16-5, Konan 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1088215 (JP) (米国を除く全ての指定国).
GOYA, Saneyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAKAI, Satoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: GOYA, Saneyuki; (JP).
SAKAI, Satoshi; (JP)
代理人: FUJITA, Takaharu; (JP)
優先権情報:
2008-286442 07.11.2008 JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE MANUFACTURING METHOD AND PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換装置の製造方法及び光電変換装置
要約: front page image
(EN)Provided is photoelectric conversion device manufacturing method which can improve productivity by suppressing irregularities of the photoelectric conversion efficiency on a large-area substrate plane or module output fluctuations between lots.  The method for manufacturing a photoelectric conversion device (100) includes a step for forming a silicone-based photoelectric conversion layer (3) on a substrate (1) by using the plasma CVD method using a gas containing a silane-based gas and a hydrogen gas as the raw material gas under the condition that the flow rate of the hydrogen gas per unit area of the substrate (1) is 80 slm/m2 or above.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication de dispositif de conversion photoélectrique qui peut améliorer la productivité par suppression d'irrégularités du rendement de conversion photoélectrique sur un plan de substrat à grande superficie ou moduler des fluctuations de sortie entre lots. Le procédé de fabrication d'un dispositif de conversion photoélectrique (100) comprend une étape de formation d'une couche de conversion photoélectrique à base de silicium (3) sur un substrat (1) en utilisant le procédé CVD plasma utilisant un gaz contenant un gaz à base de silane et du gaz hydrogène en tant que gaz matière première dans les conditions où le débit du gaz hydrogène par unité de surface du substrat (1) est de 80 slm/m2 ou plus.
(JA) 大面積基板面内での光電変換効率のばらつきや、ロット間でのモジュール出力の変動を抑制し、生産性を向上させることができる光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。基板(1)上に、シラン系ガスと水素ガスとを含むガスを原料ガスとするプラズマCVD法を用いて、前記基板(1)の単位面積当たりの前記水素ガス流量80slm/m以上の条件で、シリコン系の光電変換層(3)を形成する工程を含むことを特徴とする光電変換装置(100)の製造方法。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)