WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2010052854) 荷電粒子線装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/052854    国際出願番号:    PCT/JP2009/005694
国際公開日: 14.05.2010 国際出願日: 28.10.2009
IPC:
H01L 21/66 (2006.01), H01J 37/20 (2006.01), H01J 37/28 (2006.01)
出願人: HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 24-14, Nishi Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TSUNO, Natsuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MAKINO, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TSUNO, Natsuki; (JP).
MAKINO, Hiroshi; (JP)
代理人: Polaire I.P.C.; 7-1, Hatchobori 2-chome Chuo-ku, Tokyo 1040032 (JP)
優先権情報:
2008-284554 05.11.2008 JP
発明の名称: (EN) CHARGED PARTICLE BEAM APPARATUS
(FR) APPAREIL À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES
(JA) 荷電粒子線装置
要約: front page image
(EN)It has been difficult to obtain pattern contrast required for inspecting a specific layer of a circuit pattern in a charged particle beam apparatus which inspects, by using a charged particle beam, the position and type of a defect on a wafer having a circuit pattern which is in semiconductor manufacturing process.  At the time of inspecting the position and type of a defect on a wafer having a circuit pattern which is in semiconductor manufacturing process by using a charged particle beam emitted from a charged particle source (11), the wafer arranged on a holder (20) is irradiated with light in wavelength ranges different from each other from a light irradiation system (9), and at the same time, the wafer is irradiated with a charged particle beam.  Thus, contrast of an image is improved and inspection is performed with high sensitivity.
(FR)Il est difficile d'obtenir un contraste de motif requis pour inspecter une couche spécifique d'un motif de circuit dans un appareil à faisceau de particules chargées qui inspecte, à l’aide d'un faisceau de particules chargées, la position et le type d'un défaut sur une tranche portant un motif de circuit qui est dans un processus de fabrication de semi-conducteur. Selon l'invention, au moment d'inspecter la position et le type d'un défaut sur une tranche portant un motif de circuit qui est dans un processus de fabrication de semi-conducteur à l’aide d'un faisceau de particules chargées émis par une source de particules chargées (11), la tranche agencée sur un support (20) est exposée à de la lumière dans des plages de longueur d'onde différentes les unes des autres par un système d'exposition à la lumière (9) et, en même temps, la tranche est exposée à un faisceau de particules chargées. Ainsi, le contraste d'une image est amélioré et l'inspection est effectuée avec une sensibilité élevée.
(JA) 荷電粒子線を用いて半導体製造工程途中の回路パターンを持つウェハ上の欠陥の位置や種類を検査する荷電粒子線装置において、回路パターンの特定の層の検査に必要なパターンコントラストを得るのが困難であった。 荷電粒子源11の荷電粒子線を用いて、半導体製造工程途中の回路パターンをもつウェハ上の欠陥の位置や種類を検査するにあたって、ホルダ20に設置されたウェハに光照射系9から互いに異なる波長帯の光を照射すると同時に荷電粒子線を照射し、画像のコントラストを向上させ、高感度に検査を行う。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)