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1. (WO2010050606) 薄膜MIMキャパシタ及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/050606    国際出願番号:    PCT/JP2009/068738
国際公開日: 06.05.2010 国際出願日: 26.10.2009
IPC:
H01G 4/33 (2006.01), H01G 4/12 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01)
出願人: TAIYO YUDEN CO., LTD. [JP/JP]; 16-20, UENO 6-chome, Taito-ku Tokyo 1100005 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKAHASHI, Tomoyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MORITO, Kentarou [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SASAJIMA, Yuichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKE, Yoshinari [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKAHASHI, Tomoyuki; (JP).
MORITO, Kentarou; (JP).
SASAJIMA, Yuichi; (JP).
TAKE, Yoshinari; (JP)
優先権情報:
2008-277299 28.10.2008 JP
発明の名称: (EN) THIN FILM MIM CAPACITORS AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) CONDENSATEURS MIM À FILM MINCE ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 薄膜MIMキャパシタ及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Proposed are thin film MIM capacitors with which deterioration of insulating properties and leakage current properties can be sufficiently prevented. Also proposed is a manufacturing method for the thin film MIM capacitors. For the thin film MIM capacitor (1), a lower electrode (3), a base metal thin film (4), a dielectric thin film (5) and an upper electrode (6) are laminated in this order on a substrate (2). The base metal thin film (4), the dielectric thin film (5) and the upper electrode (6) are formed to approximately the same area. The lower electrode (3) has a configuration that differs from the other thin films to form a part for external connection. The side surfaces of the base metal thin film (4), the dielectric thin film (5) and the upper electrode (6) are covered with a base metal oxide (7) the comprises the same metal atoms as the base metal thin film (4).
(FR)L'invention porte sur des condensateurs MIM à film mince avec lesquels une détérioration des propriétés isolantes et des propriétés de courant de fuite peut être suffisamment empêchée. L'invention porte également sur un procédé de fabrication des condensateurs MIM à film mince. Pour le condensateur MIM à film mince (1), une électrode inférieure (3), un film mince métallique de base (4), un film mince diélectrique (5) et une électrode supérieure (6) sont stratifiés dans cet ordre sur un substrat (2). Le film mince métallique de base (4), le film mince diélectrique (5) et l'électrode supérieure (6) sont formés sur approximativement la même surface. L'électrode inférieure (3) présente une configuration qui diffère des autres films minces pour former une partie servant à une connexion externe. Les surfaces latérales du film mince métallique de base (4), du film mince diélectrique (5) et de l'électrode supérieure (6) sont recouvertes par un oxyde métallique de base (7) qui renferme les mêmes atomes métalliques que le film mince métallique de base (4).
(JA)絶縁特性およびリーク電流特性の劣化を防止する効果が充分に得られる薄膜MIMキャパシタを提案するとともに、その薄膜MIMキャパシタを製造する方法を提案する。 薄膜MIMキャパシタ1は、基板2の上に下部電極3、卑金属薄膜4、誘電体薄膜5および上部電極6が順次積層されている。卑金属薄膜4、誘電体薄膜5および上部電極6は略同じ面積に形成されており、下部電極3は外部との接続部分を形成するために他の薄膜と異なる形状となっている。卑金属薄膜4、誘電体薄膜5および上部電極6の側面は卑金属薄膜4と同じ金属原子を含む卑金属酸化物7で覆われている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)