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1. (WO2010050452) イオン注入装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/050452    国際出願番号:    PCT/JP2009/068367
国際公開日: 06.05.2010 国際出願日: 27.10.2009
IPC:
G11B 5/84 (2006.01), H01J 37/317 (2006.01)
出願人: ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NISHIHASHI Tsutomu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
WATANABE Kazuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MORITA Tadashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SATO Kenji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TANAKA Tsutomu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
UZUMAKI Takuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NISHIHASHI Tsutomu; (JP).
WATANABE Kazuhiro; (JP).
MORITA Tadashi; (JP).
SATO Kenji; (JP).
TANAKA Tsutomu; (JP).
UZUMAKI Takuya; (JP)
代理人: ISHIJIMA Shigeo; (JP)
優先権情報:
2008-282365 31.10.2008 JP
発明の名称: (EN) ION IMPLANTING APPARATUS
(FR) APPAREIL D'IMPLANTATION D'IONS
(JA) イオン注入装置
要約: front page image
(EN)An ion implanting apparatus (10) is provided with a subject to be measured (31) which is arranged within an irradiation range (5) to be irradiated with ions. At the time of implanting atoms into a subject to be processed (40) by irradiating the subject to be processed (40) with processing gas ions and neutralized particles provided by neutralizing the processing gas ions, the temperature of the subject to be measured (31) increases since the subject to be measured (31) is also irradiated with the processing gas ions and the neutralized particles.  Then, a control apparatus (34) obtains the atom implantation quantity of the subject to be processed (40) from the measured temperature of the subject to be measured (31). Thus, the ion implanting apparatus which can accurately measure the atom implantation quantity is provided.
(FR)L'invention porte sur un appareil d'implantation d'ions (10) qui comporte un objet devant être mesuré (31), qui est agencé dans une plage d'irradiation (5) pour être irradié par des ions. Au moment de l'implantation d'atomes dans un objet devant être traité (40) par irradiation de l'objet devant être traité (40) par des ions de gaz de traitement et des particules neutralisées formées par neutralisation des ions de gaz de traitement, la température de l'objet devant être mesuré (31) augmente étant donné que l'objet devant être mesuré (31) est également irradié par les ions de gaz de traitement et les particules neutralisées. Ensuite, un appareil de commande (34) obtient la quantité d'implantation d'atomes de l'objet devant être traité (40) à partir de la température mesurée de l'objet devant être mesuré (31). L'appareil d'implantation d'ions décrit peut donc mesurer avec précision la quantité d'implantation d'atomes.
(JA)本発明のイオン注入装置(10)はイオンが照射される照射範囲(5)に配置された測定対象物(31)を備えている。 処理対象物(40)に処理ガスイオンと前記処理ガスイオンが中性化した中性化粒子とが照射されることによって前記処理対象物(40)に原子が注入される際、測定対象物(31)にも前記処理ガスイオンと前記中性化粒子が照射されるので前記測定対象物(31)の温度は上昇する。そして、制御装置(34)は、計測された前記測定対象物(31)の温度から、前記処理対象物(40)の原子注入量を求める。これにより、原子注入量を正確に測定可能なイオン注入装置を提供できるようになった。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)