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1. (WO2010050451) 半導体発光素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/050451    国際出願番号:    PCT/JP2009/068366
国際公開日: 06.05.2010 国際出願日: 27.10.2009
IPC:
H01L 33/32 (2010.01), H01S 5/343 (2006.01)
出願人: PANASONIC ELECTRIC WORKS CO., LTD. [JP/JP]; 1048, Oaza-Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718686 (JP) (米国を除く全ての指定国).
Panasonic Corporation [JP/JP]; 1006, Oaza-Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YAMAE, Kazuyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUKSHIMA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YASUDA, Masaharu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IWAHASHI, Tomoya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAMEI, Hidenori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MAEDA, Syuusaku [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YAMAE, Kazuyuki; (JP).
FUKSHIMA, Hiroshi; (JP).
YASUDA, Masaharu; (JP).
IWAHASHI, Tomoya; (JP).
KAMEI, Hidenori; (JP).
MAEDA, Syuusaku; (JP)
代理人: NISHIKAWA, Yoshikiyo; (JP)
優先権情報:
2008-277315 28.10.2008 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光素子の製造方法
要約: front page image
(EN)A method for manufacturing a semiconductor light-emitting element, which comprises a semiconductor layer forming step, a bonding step, a groove forming step, a light irradiation step, a separation step and a cutting step.  In the semiconductor layer forming step, a nitride semiconductor laminate layer is formed on the upper surface of a light-transmitting first wafer.  In the bonding step, a second wafer is bonded to the upper surface of the nitride semiconductor laminate layer.  In the groove forming step, a groove having a depth reaching from the lower surface of the first wafer to the nitride semiconductor laminate layer is formed.  In the light irradiation step, the lower surface of the nitride semiconductor laminate layer is irradiated with first light through the first wafer, thereby lowering the bonding force between the nitride semiconductor laminate layer and the first wafer.  In the separation step, the first wafer is separated from the nitride semiconductor laminate layer.  In the cutting step, the second wafer is cut along the groove, thereby being divided into a plurality of semiconductor light-emitting elements.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un élément électroluminescent à semi-conducteur, qui comprend une étape de formation de couche semi-conductrice, une étape de collage, une étape de formation de rainure, une étape d'exposition lumineuse, une étape de séparation et une étape de découpe. Dans l'étape de formation de couche semi-conductrice, une couche stratifiée semi-conductrice au nitrure est formée sur la surface supérieure d'une première tranche transmettant la lumière. Dans l'étape de collage, une seconde tranche est collée à la surface supérieure de la couche stratifiée semi-conductrice au nitrure. Dans l'étape de formation de rainure, une rainure ayant une profondeur allant de la surface inférieure de la première tranche à la couche stratifiée semi-conductrice au nitrure est formée. Dans l'étape d'exposition lumineuse, la surface inférieure de la couche stratifiée semi-conductrice au nitrure est exposée à une première lumière à travers la première tranche, diminuant ainsi la force de liaison entre la couche stratifiée semi-conductrice au nitrure et la première tranche. Dans l'étape de séparation, la première tranche est séparée de la couche stratifiée semi-conductrice au nitrure. Dans l'étape de découpe, la seconde tranche est coupée le long de la rainure, la tranche étant ainsi divisée en une pluralité d'éléments électroluminescents à semi-conducteur.
(JA) 本発明の半導体発光素子の製造方法は、半導体層形成工程と、接合工程と、溝形成工程と、光照射工程と、剥離工程と、切断工程とを有する。半導体層形成工程において、透光性を有する第1ウエハの上面に多層窒化物半導体層を形成する。接合工程において、多層窒化物半導体層の上面に第2ウエハを接合する。溝形成工程において、第1ウエハの下面から少なくとも多層窒化物半導体層に到達する深さの溝を形成する。光照射工程において、多層窒化物半導体層の下面に第1ウエハを介して第1の光を照射する。これにより多層窒化物半導体層と第1ウエハとの間の接合力が低下される。剥離工程において、多層窒化物半導体層から第1ウエハを分離する。切断工程において、溝に沿って第2ウエハを切断し、これにより複数の半導体発光素子に分割する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)