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1. (WO2010050410) 半導体発光素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/050410    国際出願番号:    PCT/JP2009/068250
国際公開日: 06.05.2010 国際出願日: 23.10.2009
IPC:
H01L 33/32 (2010.01)
出願人: SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shiba Daimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUGANO, Susumu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SUGANO, Susumu; (JP)
代理人: FURUBE, Jiro; (JP)
優先権情報:
2008-275683 27.10.2008 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光素子の製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a method for manufacturing a semiconductor light emitting element, by which a semiconductor light emitting element having excellent light extraction efficiency can be manufactured at high yield.  The method for manufacturing a semiconductor light emitting element has: a polishing step of polishing a surface to be polished (103) on a substrate (11) of a wafer, which has the substrate (11) and a III nitride semiconductor layer composed of a multilayer structure of a III nitride semiconductor formed on the substrate (11); a polishing step of adjusting the surface roughness (Ra) of the surface (103) of the substrate (11) polished in the polishing step to be 3 nm to 25 nm; a laser processing step of arranging processed modified sections (41, 42) inside the substrate (11), by applying a laser beam (L2) along a cut-planned line provided for dividing the substrate (11) from the side of the surface (103) of the substrate (11) having the surface roughness (Ra) thereof adjusted in the polishing step; a dividing step of dividing the substrate (11) provided with the processed modified sections (41, 42) in the laser processing step, along the processed modified sections (41, 42) and the cut-planned line.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un élément électroluminescent à semi-conducteur, par lequel un élément électroluminescent à semi-conducteur ayant un excellent rendement d'extraction de lumière peut être fabriqué à un rendement élevé. Le procédé de fabrication d'un élément électroluminescent à semi-conducteur comporte : une étape de polissage consistant à polir une surface devant être polie (103) sur un substrat (11) d'une tranche, qui comprend le substrat (11) et une couche semi-conductrice au nitrure III composée d'une structure multicouche d'un semi-conducteur au nitrure III formée sur le substrat (11) ; une étape de polissage consistant à ajuster la rugosité de surface (Ra) de la surface (103) du substrat (11) polie à l'étape de polissage pour être de 3 nm à 25 nm ; une étape de traitement laser consistant à agencer des sections modifiées traitées (41, 42) à l'intérieur du substrat (11), par application d'un faisceau laser (L2) le long d'une ligne de découpe planifiée utilisée pour diviser le substrat (11) à partir du côté de la surface (103) du substrat (11) dont la rugosité de surface (Ra) a été ajustée à l'étape de polissage ; une étape de division consistant à diviser le substrat (11) muni des sections modifiées traitées (41, 42) à l'étape de traitement laser, le long des sections modifiées traitées (41, 42) et de la ligne de découpe planifiée.
(JA) 光取り出し効率に優れた半導体発光素子を高収率で製造することが可能な、半導体発光素子の製造方法を提供する。基板11と基板11上に成膜されたIII族窒化物半導体の積層構造からなるIII族窒化物半導体層とを有するウェーハの基板11の被研削面103を研削する研削工程と、研削工程により研削された基板11の被研削面103の表面粗さRaを3nm~25nmに調整する研磨工程と、研磨工程により表面粗さRaを調整した基板11の被研削面103側から、基板11を分割するための切断予定ラインに沿ってレーザL2を照射することにより、基板11の内部に加工変質部分41,42を設けるレーザ加工工程と、レーザ加工工程により加工変質部分41,42を設けた基板11を加工変質部分41,42及び切断予定ラインに沿って分割する分割工程と、を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)