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1. (WO2010050337) エッチング方法及び薄膜デバイス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/050337    国際出願番号:    PCT/JP2009/067322
国際公開日: 06.05.2010 国際出願日: 05.10.2009
IPC:
C23F 4/00 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KINOSHITA, Keizo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KINOSHITA, Keizo; (JP)
代理人: KIMURA, Mitsuru; 2nd Floor, Kyohan Building, 7, Kandanishiki-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054 (JP)
優先権情報:
2008-282254 31.10.2008 JP
発明の名称: (EN) ETCHING PROCESS AND THIN FILM DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE ET DISPOSITIF À COUCHE MINCE
(JA) エッチング方法及び薄膜デバイス
要約: front page image
(EN)An etching process wherein a material containing at least one of an organic siloxane, an organic silazane and an organic silane is vaporized so as to serve as a raw material gas, and the vaporized raw material gas is introduced into a vacuum device and transformed into a plasma. A substrate which is provided with a material to be processed is irradiated with the plasma, and the material to be processed is removed by a physical chemical reaction caused on the surface of the material to be processed. Consequently, the material to be processed is etched at a high selectivity, while suppressing etching of the mask material.
(FR)Cette invention concerne un procédé de gravure dans lequel un matériau contenant au moins un élément parmi un siloxane organique, un silazane organique et un silane organique est vaporisé afin de servir de gaz matière première. Le gaz matière première vaporisé est introduit dans un dispositif sous vide et transformé en plasma. Une substance qui est dotée d'un matériau à traiter est irradiée du plasma, et le matériau à traiter est retiré par une réaction physique et chimique provoquée sur la surface du matériau à traiter. Par conséquent, le matériau à traiter est gravé avec une grande sélectivité, tandis que la gravure du masque est supprimée.
(JA) エッチングプロセスは、原料ガスとして有機シロキサン、有機シラザン及び有機シランの少なくとも1つを含む材料を気化し、気化された原料ガスを真空装置に導入してプラズマ化する。このプラズマを被加工材が形成された基板に照射し、被加工材表面での物理化学反応によって、被加工材を除去する。マスク材料のエッチングを抑制しつつ、被加工材を高い選択比でエッチングする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)