WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2010050291) 誘電体膜、誘電体膜の製造方法、半導体装置、および、記録媒体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/050291    国際出願番号:    PCT/JP2009/065305
国際公開日: 06.05.2010 国際出願日: 02.09.2009
IPC:
H01L 21/318 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
出願人: CANON ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 2-5-1 Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAGAWA Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KITANO Naomu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TATSUMI Toru [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKAGAWA Takashi; (JP).
KITANO Naomu; (JP).
TATSUMI Toru; (JP)
代理人: OKABE Masao; (JP)
優先権情報:
2008-282100 31.10.2008 JP
発明の名称: (EN) DIELECTRIC FILM, PROCESS FOR PRODUCING DIELECTRIC FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND RECORDING MEDIUM
(FR) FILM DIÉLECTRIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FILM DIÉLECTRIQUE, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
(JA) 誘電体膜、誘電体膜の製造方法、半導体装置、および、記録媒体
要約: front page image
(EN)Disclosed is a dielectric film having high permittivity and high-temperature heat resistance.  A dielectric film (103) in one embodiment comprises a composite oxynitride comprising element A of Hf, element B of Al or Si, N, and O, has a molar ratio among element A, element B, and N of 0.015 to 0.095 in terms of (B/(A+B+N)) and not less than 0.045 in terms of (N/(A+B+N)), and has a crystal structure.
(FR)L'invention porte sur un film diélectrique ayant une permittivité élevée et une résistance à la chaleur à température élevée. Un film diélectrique (103) dans un mode de réalisation comprend un oxynitrure composite comprenant un élément A de Hf, un élément B de Al ou Si, N et O, a un rapport molaire entre l'élément A, l'élément B et N de 0,015 à 0,095 en termes de (B / (A + B + N)) et de pas moins de 0,045 en termes de (N / (A + B + N)) et a une structure cristalline.
(JA)本発明は、高誘電率と高温耐熱性を有する誘電体膜を提供する。本発明の一実施形態は、HfからなるA元素とAlもしくはSiからなるB元素とNとOを含有する複合酸窒化物を含む誘電体膜(103)であって、A元素とB元素とNのモル比率(B/(A+B+N))が0.015から0.095の間であり、かつ(N/(A+B+N))が0.045以上であり、かつ結晶構造を有している。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)