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1. (WO2010050271) 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2010/050271    International Application No.:    PCT/JP2009/062429
Publication Date: 2010/05/06 International Filing Date: 2009/07/08
IPC: H01L 31/04
Applicants: MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.
三菱重工業株式会社
TSURUGA, Shigenori
鶴我 薫典
YAMAGUCHI, Kengo
山口 賢剛
GOYA, Saneyuki
呉屋 真之
SAKAI, Satoshi
坂井 智嗣
Inventors: TSURUGA, Shigenori
鶴我 薫典
YAMAGUCHI, Kengo
山口 賢剛
GOYA, Saneyuki
呉屋 真之
SAKAI, Satoshi
坂井 智嗣
Title: 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法
Abstract:
 開放電圧を増加させるとともに、n層と裏面側透明電極層または中間コンタクト層とのコンタクト性を改善して形状因子を向上させた光電変換装置、及び、その製造方法を提供する。基板(1)上に、p層(41)とi層(42)とn層とが積層された光電変換層(3)を備える光電変換装置(100)であって、前記n層が、窒素含有n層(43)と、該窒素含有n層(43)の前記基板(1)と反対側の面に形成された界面処理層(44)とを備え、前記窒素含有n層(43)が、窒素原子を1%以上20%以下の原子濃度で含有し、かつ、結晶化率が0以上3未満であり、前記界面処理層(44)が、結晶化率1以上6以下であることを特徴とする光電変換装置(100)。