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World Intellectual Property Organization
1. (WO2010050118) 固体メモリの製造方法

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/050118    国際出願番号:    PCT/JP2009/004938
国際公開日: 06.05.2010 国際出願日: 28.09.2009
H01L 27/105 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01)
出願人: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TOMINAGA, Junji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIMA, Takayuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOLOBOV, Alexander [RU/JP]; (JP) (米国のみ).
FONS, Paul [US/JP]; (JP) (米国のみ).
SIMPSON, Robert [GB/JP]; (JP) (米国のみ).
KONDO, Reiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TOMINAGA, Junji; (JP).
SHIMA, Takayuki; (JP).
KOLOBOV, Alexander; (JP).
FONS, Paul; (JP).
SIMPSON, Robert; (JP).
KONDO, Reiko; (JP)
代理人: HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041 (JP)
2008-280134 30.10.2008 JP
(JA) 固体メモリの製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a solid-state memory manufacturing method for manufacturing a solid-state memory including a recording layer having an electric characteristic which is changed by the phase transformation.  The method includes a recording layer formation step for forming a recording layer by layering two or more films each having a mother phase which causes the phase transformation between solid states so as to constitute the ultra lattice structure.  The recording layer formation step is executed at the highest temperature in the crystallization phase transition temperatures of the respective mother phases.  Thus, it is possible to manufacture a solid-state memory which requires a smaller current value for recording and deleting data and can repeatedly rewrite the data by a plenty of times.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication de mémoire à semi-conducteurs pour la fabrication d’une mémoire à semi-conducteurs comportant une couche d’enregistrement présentant une caractéristique électrique qui est modifiée par la transformation de phase. Le procédé comprend une étape de formation d’une couche d’enregistrement pour former la couche d’enregistrement par la superposition d’au moins deux couches ayant chacune une phase mère qui entraîne la transformation de phase entre deux états solides afin de constituer une structure de réseau ultra. L’étape de formation de couche d’enregistrement est exécutée à la température la plus élevée dans les températures de transition de phase de cristallisation des phases mères respectives. Ainsi, il est possible de fabriquer une mémoire à semi-conducteurs qui nécessite une faible valeur de courant pour l’enregistrement et l’effacement de données et peut assurer une réécriture répétitive des données plusieurs fois.
(JA) 本発明の固体メモリの製造方法は、相変態により電気特性が変化する記録層を備える固体メモリの製造方法であり、固体状態間で相変態を生じる母相を有する膜を2以上積層させて超格子構造を構成させることにより、上記記録層を形成する記録層形成工程を含含み、上記記録層形成工程を、上記各母相の結晶化層転移温度の中で最も高い温度以上で行う。これにより、データの記録及び消去に必要な電流値がより低く、より多くの回数データを繰り返し書き換えることができる固体メモリを製造することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)