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1. (WO2010050117) 固体メモリ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/050117    国際出願番号:    PCT/JP2009/004935
国際公開日: 06.05.2010 国際出願日: 28.09.2009
IPC:
H01L 27/105 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01)
出願人: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TOMINAGA, Junji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIMA, Takayuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOLOBOV, Alexander [RU/JP]; (JP) (米国のみ).
FONS, Paul [US/JP]; (JP) (米国のみ).
SIMPSON, Robert [GB/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TOMINAGA, Junji; (JP).
SHIMA, Takayuki; (JP).
KOLOBOV, Alexander; (JP).
FONS, Paul; (JP).
SIMPSON, Robert; (JP)
代理人: HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041 (JP)
優先権情報:
2008-280098 30.10.2008 JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE MEMORY
(FR) MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体メモリ
要約: front page image
(EN)Provided is a solid-state memory including a recording layer containing Te and Al as main contents and having an electric characteristic which is changed by a phase transformation.  The recording layer is formed by two or more layers having a mother phase which causes a phase transformation between solid states.  The two or more recording layers have the ultra lattice structure.  This realizes a solid-state memory which requires a smaller current value for recording and deleting data and can repeatedly rewrite the data by a plenty of times.
(FR)La présente invention concerne une mémoire à semi-conducteurs comportant une couche d’enregistrement contenant Te et Al en tant que principaux matériaux et présentant une caractéristique électrique qui est modifiée par une transformation de phase. La couche d’enregistrement est formée par au moins deux couches présentant une phase mère qui entraîne la transformation entre des états solides. Lesdites au moins deux couches présentent une structure de réseau ultra. Cela permet d’obtenir une mémoire à semi-conducteurs qui nécessite une faible valeur de courant pour l’enregistrement et l’effacement de données et peut assurer une réécriture répétitive des données plusieurs fois.
(JA) 本発明の固体メモリは、Teと、Alとを主成分とする、相変態により電気特性が変化する記録層を備える固体メモリであり、上記記録層は、固体状態間で相変態を生じる母相を有する層を2以上含み、2以上の上記層は超格子構造を構成している。これにより、データの記録及び消去に必要な電流値がより低く、より多くの回数データを繰り返し書き換えることができる固体メモリを実現する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)