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1. (WO2010050071) 半導体レーザ素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/050071    国際出願番号:    PCT/JP2008/069974
国際公開日: 06.05.2010 国際出願日: 31.10.2008
IPC:
H01S 5/20 (2006.01)
出願人: OPTOENERGY, INC. [JP/JP]; 1-1-1, Izumidai, Ichihara-shi, Chiba 2990114 (JP) (米国を除く全ての指定国).
FUJIMOTO, Tsuyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMADA, Yumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMAGATA, Yuji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAITOH, Tsuyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KATAHIRA, Manabu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: FUJIMOTO, Tsuyoshi; (JP).
YAMADA, Yumi; (JP).
YAMAGATA, Yuji; (JP).
SAITOH, Tsuyoshi; (JP).
KATAHIRA, Manabu; (JP)
代理人: SAIKYO, Keiichiro; Shikishima Building, 2-6, Bingomachi 3-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410051 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT
(FR) ELÉMENT LASER SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体レーザ素子
要約: front page image
(EN)A semiconductor laser element (1) comprises an active layer (11), an n-type carrier-blocking layer (13) that is arranged so as to be adjacent to the active layer (11) and has a wider bandgap width than that of a barrier layer (11b), an n-type waveguide layer (14) that is arranged on the side opposite to the active layer (11) of the n-type carrier-blocking layer (13) so as to be adjacent to the n-type carrier-blocking layer (13), an n-type clad layer (15) that is arranged on the side opposite to the active layer (11) of the n-type waveguide layer (14) so as to be adjacent to the n-type waveguide layer (14) and has a wider bandgap width than that of the n-type waveguide layer (14), and a p-type clad layer (12) that is arranged on the side opposite to the n-type carrier-blocking layer (13) of the active layer (11) so as to be adjacent to the active layer (11) and has a wider bandgap width than those of the barrier layer (11b) and the n-type waveguide layer (14).
(FR)La présente invention concerne un élément laser semi-conducteur (1) qui comprend une couche active (11), une couche de blocage de porteur du type n (13) qui est disposée de façon à être adjacente à la couche active (11) et qui présente une largeur de bande interdite plus large que celle d’une couche barrière (11b), une couche de guide d’onde du type n (14) qui est disposée sur le côté opposé à la couche active (11) de la couche de blocage de porteur du type n (13) de façon à être adjacente à la couche de blocage de porteur du type n (13), une couche de placage du type n (15) qui est disposée sur le côté opposé à la couche active (11) de la couche de guide d’onde du type n (14) de façon à être adjacente à la couche de guide d’onde du type n (14) et qui présente une largeur de bande interdite plus large que celle de la couche de guide d’onde de type n (14), et une couche de placage de type p (12) qui est disposée sur le côté opposé à la couche de blocage de porteur de type n (13) de la couche active (11) de façon à être adjacente à la couche active (11) et qui présente une largeur de bande interdite plus large que celles de la couche barrière (11b) et de la couche de guide d’onde du type n (14).
(JA) 半導体レーザ素子1は、活性層11と、活性層11に隣接して設けられ、かつバリア層11bの禁制帯幅以上の禁制帯幅を有するn型キャリアブロック層13と、n型キャリアブロック層13に対して活性層11と反対側にn型キャリアブロック層13に隣接して設けられるn型導波層14と、n型導波層14に対して活性層11と反対側にn型導波層14に隣接して設けられ、かつn型導波層14の禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を有するn型クラッド層15と、活性層11に対してn型キャリアブロック層13と反対側に活性層11に隣接して設けられ、かつバリア層11bおよびn型導波層14の禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を有するp型クラッド層12とを備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)