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1. (WO2010010865) 半導体装置

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/010865    国際出願番号:    PCT/JP2009/063042
国際公開日: 28.01.2010 国際出願日: 21.07.2009
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAGUMO, Toshiharu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKEUCHI, Kiyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAGUMO, Toshiharu; (JP).
TAKEUCHI, Kiyoshi; (JP)
代理人: MIYAZAKI, Teruo; (JP)
2008-188503 22.07.2008 JP
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)A semiconductor device comprises a gate electrode (11) which extends in a given direction parallel to a principal surface of a substrate, and a semiconductor protrusion (12) which is provided with a source electrode (14a) at one end of both ends thereof and a drain electrode (14b) at the other end thereof, penetrates the gate electrode (11), and is in contact with the gate electrode (11) with a gate insulating film interposed therebetween.  The semiconductor protrusion (12) is provided with a plurality of channel planes which are in contact with the gate insulating film and at which channels are generated, and the direction of at least one of the plurality of channel planes is oblique to the given direction.
(FR)L’invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant une électrode de grille (11) qui s’étend dans une direction donnée parallèle à une surface principale d’un substrat, tandis qu’une protubérance semi-conductrice (12), qui comporte une électrode source (14a) à l’une de ses deux extrémités et une électrode de drain (14b) à l’autre extrémité, pénètre dans l’électrode de grille (11) et est en contact avec l’électrode de grille (11), un film d’isolation de grille étant disposé entre elles. La protubérance semi-conductrice (12) comprend une pluralité de plans de canaux qui sont en contact avec le film isolant de grille et au niveau desquels des canaux sont formés, et la direction d’un au moins desdits plusieurs plans de canaux est oblique par rapport à la direction donnée.
(JA) 本発明の半導体装置は、基板の主面に対して平行で一定方向に延在するゲート電極(11)と、両端のうち一方の端部にソース電極(14a)が設けられ、両端のうち他方の端部にドレイン電極(14b)が設けられ、ゲート電極(11)を貫通し、ゲート絶縁膜を介してゲート電極(11)と接する半導体突出部(12)と、を有する。半導体突出部(12)は、ゲート絶縁膜に接する、チャネルが発生する面であるチャネル面を複数備え、複数のチャネル面のうち少なくとも1つのチャネル面の向きが上記一定方向に対して斜めである。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)