WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2010010851) 基材、導電性パターン形成方法、及び有機薄膜トランジスタ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/010851    国際出願番号:    PCT/JP2009/062963
国際公開日: 28.01.2010 国際出願日: 17.07.2009
IPC:
H01L 21/288 (2006.01), C23C 18/18 (2006.01), H01B 13/00 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01), H05K 3/10 (2006.01), H05K 3/20 (2006.01)
出願人: Konica Minolta Holdings, Inc. [JP/JP]; 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HAKII Takeshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HAKII Takeshi; (JP)
優先権情報:
2008-190797 24.07.2008 JP
発明の名称: (EN) BASE, METHOD FOR FORMING CONDUCTIVE PATTERN, AND ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR
(FR) BASE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN MOTIF CONDUCTEUR, ET TRANSISTOR À FILM FIN ORGANIQUE
(JA) 基材、導電性パターン形成方法、及び有機薄膜トランジスタ
要約: front page image
(EN)Disclosed is a base having excellent thin-line reproducibility and excellent adhesion to conductive wiring.  A method for forming a conductive pattern using the base and an organic thin film transistor using the base are also disclosed.  The base is characterized by containing a compound represented by general formula (I) and a sensitizing dye.       (R)n-Si(A)3-n-(B)       (I) (In the formula, R represents an alkyl group having 8 or less carbon atoms; A represents an alkoxy group or a halogen atom; B represents a substituent containing an SH group; and n represents an integer of 0-2.)
(FR)L’invention concerne une base possédant une excellente reproductibilité de lignes fines et une excellente adhérence à un câblage conducteur. L’invention concerne également un procédé de fabrication d’un motif conducteur utilisant la base, et un transistor à film fin organique utilisant la base. La base est caractérisée en ce qu’elle comprend un composé correspondant à la formule générale (I) et un colorant sensibilisateur. Dans la formule (R)n-Si(A)3-n-(B) (I), R représente un groupe alkyle comportant 8 atomes de carbone ou moins, A représente un groupe alcoxy ou un atome halogène, B représente un substituant contenant un groupe SH, et n est un nombre entier de 0 à 2.
(JA) 本発明は、細線再現性と導電性配線との密着性に優れる基材を提供し、更には該基材を用いた導電性パターン形成方法、及び該基材を用いた有機薄膜トランジスタを提供することであり、該基材は、下記一般式(I)で表される化合物と増感色素を有することを特徴とする。   一般式(I):(R)-Si(A)3-n-(B) (式中、Rは炭素原子数8以下のアルキル基であり、Aはアルコキシ基またはハロゲン原子を、BはSH基を含む置換基を表し、nは0~2の整数を表す。)
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)