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1. (WO2010010792) 導電性パターン形成方法及び有機薄膜トランジスタ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/010792    国際出願番号:    PCT/JP2009/061840
国際公開日: 28.01.2010 国際出願日: 29.06.2009
IPC:
H01L 21/288 (2006.01), H01B 13/00 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01), H05K 3/38 (2006.01)
出願人: Konica Minolta Holdings, Inc. [JP/JP]; 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HAKII Takeshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HAKII Takeshi; (JP)
優先権情報:
2008-190798 24.07.2008 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR FORMING CONDUCTIVE PATTERN AND ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D’UN MOTIF CONDUCTEUR ET TRANSISTOR À FILM FIN ORGANIQUE
(JA) 導電性パターン形成方法及び有機薄膜トランジスタ
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method for forming a conductive pattern by a simple process, wherein adhesion between a substrate and a conductive pattern is excellent and thin line reproducibility is high.  An organic thin film transistor having good device characteristics is also disclosed.  The method for forming a conductive pattern is characterized by comprising a step of processing the substrate surface with a compound represented by general formula (1), a step of decomposing the compound represented by general formula (1) by photocatalytic action, and a plating step.       (R)n-Si(A)3-n-(B)     (1) (In the formula, R represents an alkyl group having 8 or less carbon atoms; A represents an alkoxy group or a halogen atom; B represents a substituent containing an SH group; and n represents an integer of 0-2.)
(FR)L’invention concerne un procédé de formation d’un motif conducteur selon un processus simple, dans lequel l’adhérence entre un substrat et un motif conducteur est excellente, tandis que la reproductibilité des lignes fines est élevée. L’invention concerne également un transistor à film fin organique qui possède de bonnes caractéristiques en termes de dispositif. Le procédé de formation d’un motif conducteur est caractérisé en ce qu’il comprend une étape de traitement de la surface du substrat à l’aide d’un composé correspondant à la formule générale (1), une étape de décomposition du composé correspondant à la formule générale (1) par action photocatalytique, et une étape de plaquage. Dans la formule (R)n-Si(A)3-n-(B) (1), R représente un groupe alkyle comportant 8 atomes de carbone ou moins, A représente un groupe alcoxy ou un atome halogène, B représente un substituant contenant un groupe SH, et n est un nombre entier de 0 à 2.
(JA) 本発明は、簡便なプロセスで基板と導電性パターンとの密着性に優れ、細線再現性が高い導電性パターン形成方法及び素子特性が良好な有機薄膜トランジスタを提供する。この導電性パターン形成方法は、基板表面を下記一般式(1)で表される化合物で処理する工程と、光触媒作用により前記一般式(1)で表される化合物を分解する工程と、めっき工程を含むことを特徴とする。   一般式(1)  (R)-Si(A)3-n-(B) (式中、Rは炭素原子数8以下のアルキル基を、Aはアルコキシ基またはハロゲン原子を、BはSH基を含む置換基を表し、nは0~2の整数を表す。)
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)