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1. (WO2010008076) プラズマ処理装置用電力導入端子およびプラズマ処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/008076    国際出願番号:    PCT/JP2009/062990
国際公開日: 21.01.2010 国際出願日: 17.07.2009
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KISHIMOTO, Katsushi [JP/--]; (米国のみ).
NISHI, Yutaka [JP/--]; (米国のみ)
発明者: KISHIMOTO, Katsushi; .
NISHI, Yutaka;
代理人: ARC PATENT ATTORNEYS' OFFICE; Sumitomoseimei Midosuji Bldg., 14-3, Nishitemma 4-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300047 (JP)
優先権情報:
2008-187429 18.07.2008 JP
発明の名称: (EN) POWER INTRODUCTION TERMINAL FOR PLASMA PROCESSING DEVICE AND PLASMA PROCESSING DEVICE
(FR) BORNE D'INTRODUCTION DE PUISSANCE POUR DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理装置用電力導入端子およびプラズマ処理装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a power introduction terminal for a plasma processing device wherein power can be introduced efficiently from a rodlike conductor into a chamber by minimizing discharge between the chamber wall (through hole) and an insulator (vally on the proximal end side). The power introduction terminal (10) of a plasma processing device comprises a rodlike conductor (11) for introducing power into a chamber (31) of a plasma processing device (30), and an insulator (13) projecting into the chamber (31) from a through hole (33) that penetrates a chamber wall (32) constituting the chamber (31) in order to hold the rodlike conductor (11).  The insulator (13) is provided with a plurality of mountains (13m) and a plurality of valleys (13v) arranged from the distal end (TS) side to the proximal end (BS) side of the rodlike conductor (11) to cover the rodlike conductor (11), and the valleys (13vb) arranged in association with the through hole (33) on the proximal end (BS) side are constituted to limit generation of discharge (e.g. equipped with an insulating resin portion (15)) as compared with the valleys (13vt) arranged in the chamber (31) on the distal end (TS) side.
(FR)L'invention porte sur une borne d'introduction de puissance pour un dispositif de traitement par plasma dans lequel une puissance peut être introduite efficacement à partir d'un conducteur en barreau dans une chambre par minimisation d'une décharge entre la paroi de la chambre (trou traversant) et un isolateur (creux sur le côté d'extrémité proximale). La borne d'introduction de puissance (10) d'un dispositif de traitement par plasma comprend un conducteur en barreau (11) pour introduire de la puissance dans une chambre (31) d'un dispositif de traitement par plasma (30), et un isolateur (13) faisant saillie dans la chambre (31) à partir d'un trou traversant (33) qui pénètre dans une paroi de chambre (32) constituant la chambre (31) afin de tenir le conducteur en barreau (11). L'isolateur (13) comprend un pluralité de crêtes (13m) et une pluralité de creux (13v) agencés depuis le côté d'extrémité distale (TS) jusqu'au côté d'extrémité proximale (BS) du conducteur en barreau (11) afin de couvrir le conducteur en barreau (11), et les creux (13vb) agencés en association avec le trou traversant (33) sur le côté d'extrémité proximale (BS) sont constitués pour limiter la génération d'une décharge (par exemple, équipés d'une partie en résine isolante (15)) par rapport aux creux (13vt) agencés dans la chambre (31) sur le côté d'extrémité distale (TS).
(JA) チャンバ壁(貫通穴)と碍子(基端側谷部)との間での放電を抑制し、棒状導電体からチャンバ室へ電力を効率的に導入可能とする。  プラズマ処理装置用電力導入端子10は、プラズマ処理装置30のチャンバ室31へ電力を導入する棒状導電体11と、チャンバ室31を構成するチャンバ壁32を貫通する貫通穴33からチャンバ室31へ突出させて配置され棒状導電体11を保持する碍子13とを備える。碍子13は、棒状導電体11の先端TS側から基端BS側にかけて配置され棒状導電体11を被覆する複数の山部13mおよび複数の谷部13vを備え、基端BS側で貫通穴33に対応させて配置される基端側谷部13vbは、先端TS側でチャンバ室31に配置される先端側谷部13vtに比較して放電発生を抑制する構成(例えば、絶縁性樹脂部15を備える構成)とされている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)