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1. (WO2010007951) 半導体配線
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/007951    国際出願番号:    PCT/JP2009/062618
国際公開日: 21.01.2010 国際出願日: 10.07.2009
IPC:
H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01)
出願人: KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO [JP/JP]; 10-26, Wakinohama-cho 2-chome, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6518585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ONISHI Takashi; (米国のみ).
MIZUNO Masao; (米国のみ).
ITO Hirotaka; (米国のみ).
KOHAMA Kazuyuki; (米国のみ).
ITO Kazuhiro; (米国のみ).
TSUKIMOTO Susumu; (米国のみ).
MURAKAMI Masanori; (米国のみ)
発明者: ONISHI Takashi; .
MIZUNO Masao; .
ITO Hirotaka; .
KOHAMA Kazuyuki; .
ITO Kazuhiro; .
TSUKIMOTO Susumu; .
MURAKAMI Masanori;
代理人: OGURI Shohei; (JP)
優先権情報:
2008-183014 14.07.2008 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR WIRING
(FR) CÂBLAGE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体配線
要約: front page image
(EN)Provided is a semiconductor wiring wherein a barrier layer different from a TiO2 layer is formed on an interface between an insulating film and a Cu wiring without increasing electrical resistivity of the Cu wiring.  In the semiconductor wiring, a Cu wiring containing Ti is embedded in a recessed section arranged on an insulating film on the semiconductor substrate, and a TiC layer is formed between the insulating film and the Cu wiring.  The insulating film is preferably composed of SiCO or SiCN.  The thickness of the TiC layer is preferably 3-30nm.
(FR)L'invention porte sur un câblage semi-conducteur dans lequel une couche barrière différente d'une couche TiO2 est formée sur une interface entre un film isolant et un câblage Cu, sans augmenter la résistivité électrique du câblage Cu. Dans le câblage semi-conducteur, un câblage Cu contenant Ti est incorporé dans une section renfoncée agencée sur un film isolant sur le substrat semi-conducteur, et une couche TiC est formée entre le film isolant et le câblage Cu. Le film isolant est, de préférence, composé de SiCO ou SiCN. L'épaisseur de la couche TiC est, de préférence, de 3 à 30 nm.
(JA) 本発明は、絶縁膜とCu配線の界面に、Cu配線の電気抵抗率を高めることなく、TiO層とは異なるバリア層を形成した半導体配線を提供する。本発明は、半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部に、Tiを含有するCu配線が埋め込まれた半導体配線であり、前記絶縁膜と前記Cu配線の間にはTiC層が形成される。前記絶縁膜は、SiCOまたはSiCNであるとよい。前記TiC層の厚みは、3~30nmであるとよい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)