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1. (WO2010007695) スピンバルブ素子及びその駆動方法並びにこれらを用いる記憶装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/007695    国際出願番号:    PCT/JP2008/066076
国際公開日: 21.01.2010 国際出願日: 05.09.2008
IPC:
H01L 43/08 (2006.01), G11C 11/15 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 29/82 (2006.01)
出願人: Fuji Electric Holdings Co., Ltd. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2100856 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KAWAKAMI, Haruo; (米国のみ).
OGIMOTO, Yasushi; (米国のみ)
発明者: KAWAKAMI, Haruo; .
OGIMOTO, Yasushi;
代理人: OKUYAMA, Shoichi; 8th Floor, Akasaka NOA Bldg., 2-12, Akasaka 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
優先権情報:
2008-182651 14.07.2008 JP
発明の名称: (EN) SPIN VALVE ELEMENT AND ITS DRIVING METHOD AND STORAGE DEVICE EMPLOYING THEM
(FR) ÉLÉMENT À VANNE DE SPIN ET SON PROCÉDÉ DE COMMANDE ET DISPOSITIF DE STOCKAGE LES EMPLOYANT
(JA) スピンバルブ素子及びその駆動方法並びにこれらを用いる記憶装置
要約: front page image
(EN)In a spin valve element having a pair of ferromagnetic layers (23, 25) of different coercive force sandwiching an insulator layer (24) or a nonmagnetic layer (51) in order to perform multilevel recording, the in-plane profile of the ferromagnetic layer (25) of weak coercive force is substantially made circular thus obtaining a spin valve element (1) provided with a plurality of insular nonmagnetic parts (IN, IE, Iw, IS). A storage device (10) is manufactured using such spin valve elements.
(FR)Selon l’invention, dans un élément à vanne de spin doté d’une paire de couches ferromagnétiques (23, 25) de force coercitive différente, entre lesquelles est intercalée une couche isolante (24) ou une couche non magnétique (51) afin de réaliser un enregistrement multiniveau, le profilé dans le plan de la couche ferromagnétique (25) de force coercitive faible est rendu sensiblement circulaire, permettant ainsi d'obtenir un élément à vanne de spin (1) comportant une pluralité de parties non magnétiques insulaires (IN, IE, Iw, IS). Un dispositif de stockage (10) est fabriqué à l'aide de tels éléments à vanne de spin.
(JA) スピンバルブ素子において多値記録を行うために、絶縁体層24または非磁性層51を挟み、保磁力が互いに異なっている1対の強磁性層23,25を有するスピンバルブ素子であって、保磁力が弱い強磁性層25の面内形状を概ね円形にして、複数の島状非磁性部I、I、I、Iを設けるスピンバルブ素子1を得る。また、そのようなスピンバルブ素子を用いて記憶装置10を作製する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)