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1. (WO2010004997) プラズマ処理装置

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/004997    国際出願番号:    PCT/JP2009/062378
国際公開日: 14.01.2010 国際出願日: 07.07.2009
H01L 21/3065 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SAWADA Ikuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KANG Songyun [KR/JP]; (JP) (米国のみ).
KASAI Shigeru [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SAWADA Ikuo; (JP).
KANG Songyun; (JP).
KASAI Shigeru; (JP)
代理人: YOSHITAKE Kenji; (JP)
2008-182058 11.07.2008 JP
2008-254377 30.09.2008 JP
(JA) プラズマ処理装置
要約: front page image
(EN)A plasma processing apparatus for processing a substrate by use of plasma.  The plasma processing apparatus comprises a processing container; a mounting stage which is located in the processing container and on which a substrate is mounted; a gas shower head comprising a conductive member which is opposed to the mounting stage and the lower surface of which has a multiplicity of gas discharging apertures for supplying a processing gas into the processing container; an induction coil to which a high frequency current is supplied so as to generate an inductive coupling plasma in a region surrounding a space below the gas shower head; a negative voltage supplying means for applying a negative DC voltage to the gas shower head so as to lead an electrical field, which is inducted by the induction coil, to a central portion of the processing region; and a means for evacuating the processing container.
(FR)L'invention concerne un dispositif de traitement au plasma pour traiter un substrat en utilisant du plasma. Le dispositif de traitement au plasma comprend un conteneur de traitement ; un étage de montage qui est situé dans le conteneur de traitement et sur lequel un substrat est monté ; une buse de gaz comprenant un élément conducteur qui est opposé à l'étage de montage et dont la surface inférieure comporte une multitude d'ouvertures de décharge de gaz pour délivrer un gaz de traitement dans le conteneur de traitement ; une bobine d'induction à laquelle un courant haute fréquence est appliqué de manière à générer un plasma par couplage inductif dans une région entourant un espace au-dessous de la buse de gaz ; un moyen d'application de tension négative pour appliquer une tension continue négative à la buse de gaz de manière à conduire un champ électrique, qui est induit par la bobine d'induction, vers une partie centrale de la région de traitement ; et un moyen pour faire le vide dans le conteneur de traitement.
(JA) 本発明は、基板に対してプラズマにより処理を行うプラズマ処理装置において、処理容器と、前記処理容器内に設けられ、基板を載置するための載置台と、前記載置台に対向するように設けられ、前記処理容器内に処理ガスを供給するための多数のガス吐出孔がその下面に形成された導電性部材からなるガスシャワーヘッドと、前記ガスシャワーヘッドの下方空間を囲む領域に誘導結合型プラズマを発生させるために高周波電流が供給される誘導コイルと、前記ガスシャワーヘッドに負の直流電圧を印加して、前記誘導コイルにより誘導される電界を処理領域の中央部側に引き込むための負電圧供給手段と、前記処理容器内を真空排気するための手段と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)