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1. (WO2010004836) プラズマ処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/004836    国際出願番号:    PCT/JP2009/060916
国際公開日: 14.01.2010 国際出願日: 16.06.2009
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), C23C 16/511 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MATSUMOTO, Naoki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KATO, Kazuyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIKATA, Masafumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKAI, Kazuto [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MATSUMOTO, Naoki; (JP).
KATO, Kazuyuki; (JP).
SHIKATA, Masafumi; (JP).
TAKAI, Kazuto; (JP)
代理人: ITOH, Hidehiko; (JP)
優先権情報:
2008-178863 09.07.2008 JP
2008-178864 09.07.2008 JP
発明の名称: (EN) PLASMA PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理装置
要約: front page image
(EN)The plasma treatment device (11) is equipped with a treatment vessel (12) in which a plasma treatment is applied to a substrate to be treated (W), a holder (14) that is provided inside the treatment vessel (12) and holds the substrate to be treated (W) thereon, a dielectric plate (16) that is provided at a position facing the holder (14) and introduces a microwave into the treatment vessel (12), and a reaction gas supply part (13) for supplying a plasma treatment reaction gas toward the center region of the substrate to be treated (W) that is held by the holder (14). Here, the reaction gas supply part (13) includes an injector base (61) that is provided at a position retreated toward the inner side of the dielectric plate (16) from the bottom surface (63), that is, the surface facing the holder (14), of the dielectric plate (16). The injector base (61) is provided with a feed hole (66) for supplying the plasma treatment reaction gas into the treatment vessel (12).
(FR)L'invention porte sur un dispositif de traitement par plasma (11) qui est équipé d'une cuve de traitement (12) dans laquelle un traitement par plasma est appliqué à un substrat devant être traité (W), d'un support (14) qui est installé à l'intérieur de la cuve de traitement (12) et tient le substrat devant être traité (W) sur lui, d'une plaque diélectrique (16) qui est installée en une position faisant face au support (14) et introduit des hyperfréquences dans la cuve de traitement (12), et d'une partie alimentation en gaz de réaction (13) pour amener un gaz de réaction de traitement par plasma vers la région centrale du substrat devant être traité (W) qui est tenu par le support (14). Dans ce cas, la partie alimentation en gaz de réaction (13) comprend une base d'injecteur (61) qui est installée en une position en retrait vers le côté interne de la plaque diélectrique (16) par rapport à la surface inférieure (63), c'est-à-dire la surface faisant face au support (14), de la plaque diélectrique (16). La base d'injecteur (61) comprend un trou d'alimentation (66) pour ramener le gaz de réaction de traitement par plasma dans la cuve de traitement (12).
(JA) プラズマ処理装置11は、その内部で被処理基板Wにプラズマ処理を行う処理容器12と、処理容器12内に配置され、その上に被処理基板Wを保持する保持台14と、保持台14と対向する位置に設けられ、マイクロ波を処理容器12内に導入する誘電体板16と、保持台14に保持された被処理基板Wの中央領域に向かってプラズマ処理用の反応ガスを供給する反応ガス供給部13とを備える。ここで、反応ガス供給部13は、保持台14と対向する対向面となる誘電体板16の下面63よりも誘電体板16の内方側の後退した位置に配置されるインジェクターベース61を含む。インジェクターベース61には、プラズマ処理用の反応ガスを処理容器12内に供給する供給孔66が設けられている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)