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1. (WO2010004802) 電力用半導体モジュール
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/004802    国際出願番号:    PCT/JP2009/058066
国際公開日: 14.01.2010 国際出願日: 23.04.2009
IPC:
H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKATA, Shuhei [--/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKATA, Shuhei; (JP)
代理人: FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office, p.c., Nakanoshima Central Tower 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2008-180136 10.07.2008 JP
発明の名称: (EN) POWER SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) MODULE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
(JA) 電力用半導体モジュール
要約: front page image
(EN)A power semiconductor module (1) includes a first MOS transistor (16) connected to a positive-side power supply terminal through a first conductive pattern (11); a first reflux diode (17) connected to the positive-side power supply terminal through a second conductive pattern (12); a second MOS transistor (18) connected to a negative-side power supply terminal through a third conductive pattern (13); and a second reflux diode (19) connected to the negative-side power supply terminal through a fourth conductive pattern (14). The semiconductor elements (16-19) are connected to output terminals on a load side through a common fifth conductive pattern (15). At this time, the semiconductor elements (16, 17) connected to the positive-side power supply terminal and the semiconductor elements (18, 19) connected to the negative-side power supply terminal are alternately arranged in a substantially straight line state.
(FR)Un module semi-conducteur de puissance (1) comprend un premier transistor MOS (16) connecté à une borne d'alimentation côté positif par l'intermédiaire d'un premier motif conducteur (11) ; une première diode de reflux (17) connectée à la borne d'alimentation côté positif par l'intermédiaire d'un deuxième motif conducteur (12) ; un second transistor MOS (18) connecté à une borne d'alimentation côté négatif par l'intermédiaire d'un troisième motif conducteur (13) ; et une seconde diode de reflux (19) connectée à la borne d'alimentation côté négatif par l'intermédiaire d'un quatrième motif conducteur (14). Les éléments semi-conducteurs (16 à 19) sont connectés à des bornes de sortie d’un côté de charge par l'intermédiaire d'un cinquième motif conducteur (15) commun. A cet instant, les éléments semi-conducteurs (16, 17) connectés à la borne d'alimentation côté positif et les éléments semi-conducteurs (18, 19) connectés à la borne d'alimentation côté négatif sont agencés alternativement dans un état sensiblement en ligne droite.
(JA) 電力用半導体モジュール(1)は、正側電源端子と第1の導電パターン(11)を介して接続される第1のMOSトランジスタ(16)、正側電源端子と第2の導電パターン(12)を介して接続される第1の還流ダイオード(17)、負側電源端子と第3の導電パターン(13)を介して接続される第2のMOSトランジスタ(18)、および負側電源端子と第4の導電パターン(14)を介して接続される第2の還流ダイオード(19)を含む。これらの半導体素子(16~19)は、共通の第5の導電パターン(15)を介して負荷側の出力端子と接続される。このとき、正側電源端子に接続される半導体素子(16,17)と負側電源端子に接続される半導体素子(18,19)とは、略直線状に交互に配設される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)