WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2010004734) 薄膜製造方法およびその方法に使用できるシリコン材料
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/004734    国際出願番号:    PCT/JP2009/003163
国際公開日: 14.01.2010 国際出願日: 07.07.2009
IPC:
C23C 14/24 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KAMIYAMA, Yuma; (米国のみ).
HONDA, Kazuyoshi; (米国のみ).
SHINOKAWA, Yasuharu; (米国のみ)
発明者: KAMIYAMA, Yuma; .
HONDA, Kazuyoshi; .
SHINOKAWA, Yasuharu;
代理人: KAMADA, Koichi; (JP)
優先権情報:
2008-176547 07.07.2008 JP
発明の名称: (EN) THIN FILM MANUFACTURING METHOD AND SILICON MATERIAL THAT CAN BE USED WITH SAID METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE COUCHE MINCE ET MATÉRIAU DE SILICIUM POUVANT ÊTRE UTILISÉ AVEC LEDIT PROCÉDÉ
(JA) 薄膜製造方法およびその方法に使用できるシリコン材料
要約: front page image
(EN)Particles that fly off from an evaporation source (9) are deposited on a substrate (21) at a film‑formation position (33) in a vacuum so as to form a thin film on the substrate (21). A bulk material (32) containing a starting material for the thin film is melted above the evaporation source (9), and the melted material is supplied to the evaporation source (9) in the form of liquid droplets (14). A silicon material (32) containing multiple voids is used as the bulk material (32). It is preferable that the voids have an average internal pressure lower than atmospheric pressure. It is even more preferable that the average internal pressure be 0.1 atm or less.
(FR)Des particules projetées à partir une source d'évaporation (9) sont déposées sur un substrat (21) à une position de formation de couche (33) sous vide de façon à former une couche mince sur le substrat (21). Un matériau en vrac (32) contenant un matériau de départ destiné à la couche mince est mis en fusion au-dessus de la source d'évaporation (9), puis le matériau en fusion est délivré à la source d'évaporation (9) sous la forme de gouttelettes liquides (14). Un matériau de silicium (32) contenant de multiples pores fait office de matériau en vrac (32). Il est préférable que les pores aient une pression interne moyenne inférieure à la pression atmosphérique. Il est encore davantage préférable que la pression interne moyenne soit de 0,1 atm ou moins.
(JA) 基板21上に薄膜が形成されるように、蒸発源9より飛来した粒子を真空中の成膜位置33にて基板21上に堆積させる。薄膜の原料を含む塊状の材料32を蒸発源9の上方で溶解させるとともに、溶解した材料を液滴14の形で蒸発源9に供給する。塊状の材料32として、複数の空孔を内包したシリコン材料32を用いる。空孔は、大気圧よりも低い平均内部圧力を有していることが好ましい。平均内部圧力が0.1気圧以下であるとさらに好ましい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)