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1. (WO2010001879) プラズマCVD装置、薄膜の製造方法及び磁気記録媒体の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/001879    国際出願番号:    PCT/JP2009/061918
国際公開日: 07.01.2010 国際出願日: 30.06.2009
予備審査請求日:    28.04.2010    
IPC:
C23C 16/509 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), G11B 5/851 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
出願人: YOUTEC CO., LTD. [JP/JP]; 956-1, Nishi-hirai, Nagareyama-shi, Chiba 2700156 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HONDA, Yuuji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TANAKA, Masafumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OIKAWA, Masahisa [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HONDA, Yuuji; (JP).
TANAKA, Masafumi; (JP).
OIKAWA, Masahisa; (JP)
代理人: YANASE, Mutsuyasu; PATENT ATTORNEYS SHINPO, 8th Floor, UK Building, 1-32-14, Takadanobaba, Shinjuku-ku, Tokyo 1690075 (JP)
優先権情報:
2008-172489 01.07.2008 JP
発明の名称: (EN) PLASMA CVD DEVICE, METHOD FOR DEPOSITING THIN FILM, AND METHOD FOR PRODUCING MAGNETIC RECORDING MEDIUM
(FR) DISPOSITIF PLASMA CVD, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE COUCHE MINCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUPPORT D'ENREGISTREMENT MAGNÉTIQUE
(JA) プラズマCVD装置、薄膜の製造方法及び磁気記録媒体の製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a plasma CVD device wherein a thin film is deposited without using a filament.  A plasma CVD device is characterized in that it comprises a chamber (1), ring-shaped ICP electrodes (17, 18) arranged in the chamber, first high-frequency power supplies (7, 8) connected electrically with the ICP electrodes, a gas supply mechanism for supplying a raw material gas into the chamber, an exhaust mechanism for exhausting the chamber, a disk substrate (2) arranged in the chamber opposite to the ICP electrodes, a second high frequency power supply (6) connected with the disk substrate, an earth electrode arranged in the chamber opposite to the ICP electrodes on the opposite side of the disk substrate, and plasma walls (24, 25) provided in the chamber to surround the space between the ICP electrodes and the disk substrate, and that the plasma walls are at a float potential.
(FR)L'invention propose un dispositif plasma CVD qui permet de former une couche mince sans utilisation de filament. Le dispositif plasma CVD concerné par l'invention possède: une chambre (1), des électrodes ICP en forme d'anneau (17 et 18) placées à l'intérieur de la chambre susmentionnée, une première source d'alimentation électrique à haute fréquence (7 et 8) électriquement reliée aux électrodes ICP susmentionnées, un mécanisme d'approvisionnement de gaz qui approvisionne la chambre susmentionnée en matière première gazeuse, un mécanisme d'évacuation d'air qui permet d'évacuer l'air de l'intérieur de la chambre, un substrat en forme de disque (2) placé à l'intérieur de la chambre susmentionnée vis-à-vis des électrodes ICP susmentionnées, une deuxième source d'alimentation électrique à haute fréquence (6) reliée au substrat en forme de disque susmentionné, des électrodes de terre placées à l'intérieur de la chambre susmentionnée vis-à-vis des électrodes ICP susmentionnées et du côté opposé à celui du substrat en forme de disque susmentionné, et des parois plasma (24 et 25) disposées de sorte qu'elles cernent l'espace entre les électrodes ICP susmentionnées et le substrat en forme de disque susmentionné. Le dispositif a pour particularité que les parois plasma susmentionnées sont à potentiel flottant.
(JA) フィラメントを使用せずに薄膜を成膜するプラズマCVD装置を提供する。本発明に係るプラズマCVD装置は、チャンバー1と、前記チャンバー内に配置されたリング状のICP電極17,18と、前記ICP電極に電気的に接続された第1の高周波電源7,8と、前記チャンバー内に原料ガスを供給するガス供給機構と、前記チャンバー内を排気する排気機構と、前記チャンバー内に配置され、前記ICP電極に対向するように配置されたディスク基板2と、前記ディスク基板に接続された第2の高周波電源6と、前記チャンバー内に配置され、前記ICP電極に対向し且つ前記ディスク基板とは逆側に配置されたアース電極と、前記チャンバー内に配置され、前記ICP電極と前記ディスク基板との間の空間を囲むように設けられたプラズマウォール24,25と、を具備し、前記プラズマウォールがフロート電位とされていることを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)