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1. (WO2010001823) スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに酸化Cu層の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/001823    国際出願番号:    PCT/JP2009/061690
国際公開日: 07.01.2010 国際出願日: 26.06.2009
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), B22F 1/00 (2006.01), C22C 9/00 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01)
出願人: HITACHI METALS,LTD. [JP/JP]; 2-1,Shibaura 1-chome,Minato-ku, Tokyo 1058614 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YAKABE Hidetaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IWASAKI Katsunori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MURATA Hideo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ISHIKAWA Takuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAITOH Kazuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YAKABE Hidetaka; (JP).
IWASAKI Katsunori; (JP).
MURATA Hideo; (JP).
ISHIKAWA Takuya; (JP).
SAITOH Kazuya; (JP)
優先権情報:
2008-170600 30.06.2008 JP
発明の名称: (EN) SPUTTERING TARGET, PROCESS FOR PRODUCING THE SPUTTERING TARGET, AND PROCESS FOR PRODUCING Cu OXIDE LAYER
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CIBLE DE PULVÉRISATION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COUCHE D'OXYDE DE CUIVRE
(JA) スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに酸化Cu層の製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a sputtering target that can form a Cu oxide layer evenly on a substrate. The sputtering target comprises Cu, oxygen, and unavoidable impurities.  The content of oxygen is 7.0 to 33.3 atom% when the total content of Cu and oxygen is presumed to be 100 atomic%.  Also disclosed is a process for producing a sputtering target that obtains a Cu sintered compact as a sputtering target material by heat treating a Cu powder in an oxygen-containing atmosphere to introduce oxygen, then performing pressure sintering to brining an oxygen content of 7.0 to 33.3 atom% when the total content of Cu and oxygen is presumed to be 100 atomic%.
(FR)L'invention porte sur une cible de pulvérisation qui peut former une couche d'oxyde de cuivre de manière uniforme sur un substrat. La cible de pulvérisation comporte du cuivre, de l'oxygène et des impuretés inévitables. La teneur en oxygène est de 7,0 à 33,3 % atomique lorsque la teneur totale en cuivre et en oxygène est supposée être de 100 % atomique. L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'une cible de pulvérisation qui obtient un cuivre fritté compact en tant que matériau cible de pulvérisation par le traitement thermique d'une poudre de cuivre dans une atmosphère contenant de l'oxygène pour introduire de l'oxygène, puis par l’exécution d'un frittage sous pression pour faire passer la teneur en oxygène de 7,0 à 33,3 % atomique lorsque la teneur totale en cuivre et en oxygène est supposée être de 100 % atomique.
(JA) 本発明の目的は、基板上に均一に酸化Cuの層を形成するためのスパッタリングターゲットを提供することにある。  本発明は、Cuと酸素と不可避的不純物からなるスパッタリングターゲットであって、Cuと酸素の総和を100原子%とした時に酸素が7.0~33.3原子%であるスパッタリングターゲットである。また、Cu粉末を酸素含有雰囲気中で加熱処理して酸素導入した後に、加圧焼結しCuと酸素の総和を100原子%とした時に酸素が7.0~33.3原子%であるスパッタリングターゲット素材となるCu焼結体を得るスパッタリングターゲットの製造方法である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)